[发明专利]晶片装置和用于加工晶片的方法有效

专利信息
申请号: 201510601403.6 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN105448797B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: F·J·桑托斯罗德里奎兹;G·拉克纳;J·昂特韦格 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 晶片 装置 用于 加工 方法
【说明书】:

本申请涉及晶片装置及加工晶片的方法。根据不同实施例,晶片装置可以包括:晶片和晶片支撑环,其中所述晶片和所述晶片支撑环配置为彼此可释放地附接。

技术领域

不同的实施例涉及晶片装置及加工晶片的方法。

背景技术

半导体芯片通常由半导体晶片制成。由于薄晶片例如容易翘曲和/或破裂,因此处理和/或加工薄晶片非常困难。为了安全处理和/或加工晶片,可能需要增加晶片的机械稳定性。

发明内容

根据不同的实施例,晶片装置可以包括:晶片和晶片支撑环,其中所述晶片和所述晶片支撑环配置为可释放地彼此附接。

附图说明

在附图中,相似附图标记通常是指不同视图中的相同部分。附图并不一定按照比例绘制,通常重点在于示出本发明的原理。在下面的说明书中,将参照附图描述本发明的不同实施例,其中:

图1A和图1B为示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图;

图2A和图2B为示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图;

图3示出了根据不同实施例的加工晶片的方法;

图4A至图4C和图5A至图5C为分别示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图和侧视图;

图6为图5C中的部段的放大图;

图7为根据不同实施例的晶片装置中的部段的放大图;

图8为根据不同实施例的晶片装置中的部段的放大图;以及

图9A至图9C和图10A至图10C为分别示出了根据不同实施例的晶片装置及加工晶片的方法的透视图和侧视图。

具体实施方式

下面将参照附图详细描述,附图以图示方式显示了特定细节和实施本发明的实施例。将详尽地描述这些实施例,以使本领域的技术人员能够实施本发明。在不偏离本发明的范围内,可以利用其他实施例并可以在结构、逻辑和电气方面做出改变。不同实施例并不一定相互排斥,因为一些实施例可以与一个或多个实施例组合以形成新的实施例。将结合方法和器件描述不同实施例。但是,可以理解的是,结合方法描述的实施例同样适用于器件,反之亦然。

此处词语“示例性的”用于表示“作为例子、实例或图示”。在此作为“示例性的”描述的任何实施例或设计都不应该理解为优于其他实施例或设计。

术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括大于或等于1的任何整数,例如:1、2、3、4…等。

术语“多个”可以理解为包括大于或等于2的任何整数例如:2、3、4、5…等。

此处词语“在…上方”用于描述在侧面或表面“上方”形成特征例如层,也可以用于表示特征例如层“直接”形成在隐含的侧面或表面上,例如直接接触隐含的侧面或表面。此处词语“在…上方”用于描述在侧面或表面“上方”形成特征例如层,也可以用于表示特征例如层“间接”形成在隐含的侧面或表面上,其中一个或多个附加层布置在隐含的侧面或表面与所形成的层之间。

类似地,此处词语“覆盖”用于描述设置在另一特征上方的特征,例如覆盖侧面或表面的层,也可以用于表示特征例如层设置在隐含的侧面或表面上,并与隐含的侧面或表面直接接触。此处词语“覆盖”用于描述设置在另一特征上方的特征,例如覆盖侧面或表面的层,也可以用于表示特征例如层设置在隐含的侧面或表面上,并与隐含的侧面或表面直接接触,其中一个或多个附加层布置在隐含的侧面或表面与覆盖层之间。

为了安全处理和/或加工晶片,可能需要增加晶片的机械稳定性。为此,晶片通常可以包括支撑环(例如所谓的“Taiko环”),其形成在晶片的边缘区域处,从而增加晶片的机械稳定性。

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