[发明专利]晶片装置和用于加工晶片的方法

权利要求书

1.一种晶片装置，包括：

晶片；以及

晶片支撑环，

其中，所述晶片和所述晶片支撑环被配置为彼此可释放地附接；

其中所述晶片支撑环包括周向地围绕所述晶片支撑环并彼此成角度地间隔开而形成的多个爪状突出部，并且其中所述晶片包括所述爪状突出部能够啮合到其中的多个啮合突出部，其中所述啮合突出部周向地围绕所述晶片并彼此成角度地间隔开而形成。

2.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片和所述晶片支撑环被配置为使得所述晶片支撑环能够从所述晶片分离而不损坏所述晶片或所述晶片支撑环。

3.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片和所述晶片支撑环被配置为可逆地彼此机械附接。

4.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片和所述晶片支撑环被配置为通过使所述晶片和所述晶片支撑环处于彼此机械接触，然后围绕垂直于所述晶片的主要加工表面的轴线相对于彼此地旋转所述晶片和所述晶片支撑环中的至少一个而彼此可逆地机械附接。

5.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片支撑环包括第一材料以及所述晶片包括第二材料，其中所述第一材料与所述第二材料具有相同的热膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片支撑环包括从材料组中选择的至少一种材料，所述材料组包括无碱玻璃、硼硅玻璃、钼、硅或者两种或多于两种的前述材料的组合。

7.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片和所述晶片支撑环包括相同材料。

8.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片支撑环具有在100μm至2000μm范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片包括在所述晶片的边缘区域处的突出结构。

10.根据权利要求9所述的晶片装置，其中所述突出结构是至少部分地围绕所述晶片的内部部分的环形结构。

11.根据权利要求9所述的晶片装置，其中所述突出结构的高度小于或等于所述晶片的起始厚度。

12.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述爪状突出部被配置为啮合到所述啮合突出部，使得所述爪状突出部与所述啮合突出部沿径向重叠。

13.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述爪状突出部径向向内地突出，并且所述啮合突出部径向向外地突出，或者所述爪状突出部径向向外地突出，并且所述啮合突出部径向向内地突出。

14.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片包括在所述晶片的边缘区域处的突出结构，其中所述突出结构包括所述啮合突出部。

15.根据权利要求1所述的晶片装置，其中所述晶片支撑环和所述晶片被配置为通过磁力彼此粘附。

16.一种晶片装置，包括：

晶片，包括设置在所述晶片的边缘区域处并至少部分地围绕所述晶片的内部部分的环形结构，其中所述环形结构包括周向地围绕所述环形结构并彼此成角度地间隔开而布置的多个啮合突出部；以及

晶片支撑环，包括周向地围绕所述晶片支撑环并彼此成角度地间隔开而布置的多个爪状突出部，其中所述爪状突出部被配置为啮合到所述啮合突出部，使得所述晶片支撑环附接到所述晶片。

17.根据权利要求16所述的晶片装置，其中所述晶片包括硅，并且所述晶片支撑环包括以下各项中的至少一项：无碱玻璃、硼硅玻璃、钼、硅或者两种或多于两种的前述材料的组合。