[发明专利]一种一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，呈片状结构，包括底层、中间层和表面层，其特征在于：底层为绝缘基板，中间层为导电层，表面层为具有表面增强拉曼光谱效应的镀膜层。

2.根据权利要求1所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，其特征在于具有表面增强拉曼光谱效应的镀膜层具有多孔形貌。

3.根据权利要求2所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，其特征在于具有表面增强拉曼光谱效应的镀膜层呈多孔纳米树枝状结构。

4.根据权利要求1所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，其特征在于导电层可直接采用导电材料或可为由丝网印刷形成的导电层或可为真空蒸镀形成的导电层或溅射形成的导电层。

5.根据权利要求1所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，其特征在于导电层采用具有可以产生表面增强拉曼光谱效应的金属材料。

6.根据权利要求5所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片，其特征在于导电层所采用的金属材料可以为金、银、铜。

7.一种制备如权利要求1-3所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片的制备方法，在底层绝缘基底上通过丝网印刷或真空蒸镀或溅射方法形成导电层，并对其在常温下进行电沉积反应处理得到具有表面增强拉曼光谱效应的镀膜，具体包含以下步骤：

(1)在底层绝缘基底上通过丝网印刷或真空蒸镀或溅射方法形成导电层；

(2)将步骤(1)中制得的芯片放入包含贵金属盐和氢离子的电解液中，进行电沉积反应，在特定的较大阴极极化电流下共同还原贵金属离子与氢离子，使表面生成具有表面增强拉曼光谱效应的镀膜层。；

(3)将芯片作干燥处理；

(4)清洗电极表面的电解液残留物质，以去除其对芯片表面的干扰。

8.一种如权利要求7所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的电解液选择Ag₂SO₄、H₂SO₄和水的混合液。

9.一种如权利要求8所述的一次性使用的表面增强拉曼光谱芯片的制备方法，其特征在于：步骤(2)的电解液中Ag₂SO₄的浓度可以为0.01mol/L或0.02mol/L；步骤(2)的电解液中H₂SO₄的浓度可以为0.2mol/L或0.4mol/L或0.6mol/L或0.8mol/L或1.0mol/L。

10.一种如权利要求9所述的原位电化学-表面增强拉曼光谱芯片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的电沉积反应中，通过控制电流和沉积时间，调整电流密度，从而来控制电极表面的纳米结构。