[发明专利]一种SOI基的PN结建模方法

权利要求书

1.一种基于SOI的PN结建模方法，包括：

a)根据PN结上所加偏压的范围，将PN结的工作区域分为三个阶段，分别为：

第一阶段，其中PN结上所加的偏压大于第一阈值电压V₁；

第二阶段，其中PN结上所加的偏压小于第一阈值电压V₁且大于第二阈值电压V₂；

第三阶段，其中PN结上所加的偏压小于第二阈值电压V₂；

b)对处于上述三个阶段的PN结分别建模，其中，

构造第一阶段函数C₁(x)和第三阶段函数C₃(x)分别对处于第一阶段和第三阶段的PN结进行拟合，C₁(x)和C₃(x)分别满足：

C₁(V_d)＝(area*cjo+pj*cjsw)*phi*(1-pow((1-Vd/phi),(1-m)))/(1-m)，

C₃(V_d)＝pj*cjsw*phi*(1-pow((1-V_d/phi),(1-m)))/(1-m)；

构造第二单调函数C₂(x)对处于第二阶段的PN结的电容进行拟合，该函数满足:

C₂(V₁)＝C₁(V₁)；

C₂(V₂)＝C₃(V₂)；

其中area为PN结面积，pj为PN结周长，cjo为单位面积电容，cjsw为单位边长电容，V_d为PN结电压，phi为PN结导通电压，m为拟合参数，V₁为电容开始剧烈减小时的电压，V₂为开始没有底面电容时的电压，a,b为过渡区拟合参数；第一阈值电压V₁和第二阈值电压V₂的值是代入符号考虑的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤a)中，所述第一阈值电压V₁的值大于第二阈值电压V₂的值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤a)中，当PN结上所加的偏压处于第一阶段时，PN结电容包括底面结电容和侧面结电容。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤a)中，当PN结上所加的偏压处于第二阶段时，PN结电容包括底面结电容和侧面结电容，且底面结电容的影响随着所加偏压的减小而降低。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤a)中，当PN结上所加的偏压处于第三阶段时，PN结电容包括侧面结电容。