[发明专利]光掩模坯

权利要求书

1.光掩模坯，包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜包含选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种，

其中该铬系材料膜为硬掩模膜，

表示氯系干蚀刻中该铬系材料膜的每单位膜厚度的蚀刻速率的A与表示所述氯系干蚀刻中只由铬组成的膜的每单位膜厚度的蚀刻速率的B之比(A/B)在0.7-0.9的范围内，并且

在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成该铬系材料膜，并且在至少150℃的温度下进行热处理历时至少10分钟时，该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。

2.权利要求1的光掩模坯，其中该翘曲量为50nm以下。

3.权利要求1的光掩模坯，其中比率(A/B)在0.75-0.85的范围内。

4.权利要求1的光掩模坯，其中该铬系材料膜具有4nm-50nm的范围内的厚度。

5.权利要求1的光掩模坯，其中该热处理的温度为300℃以下。

6.权利要求1的光掩模坯，其中该铬系材料膜为CrCNO膜。

7.权利要求1的光掩模坯，其中该铬系材料膜为单层膜。