[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极；有源层和漏极位于同一层，有源层的材料包括金属氧化物，漏极的材料包括导体化的金属氧化物；源极与栅绝缘层位于有源层的同一侧，且源极和栅绝缘层与有源层的同一侧面相接触，栅绝缘层位于源极与漏极之间，栅绝缘层的厚度大于源极的厚度，源极的材料包括金属；栅极与栅绝缘层远离有源层的一面相接触。本发明的薄膜晶体管的漏极的材料包括导体化的金属氧化物，源极的材料包括金属，源极和数据线是源极层通过构图工艺形成的，所以数据线的材料与源极的材料均包括金属，解决了信号延迟的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法。

背景技术

液晶显示器逐渐向大尺寸、高画质和低能耗方向发展，其构造包括在两片平行的基板当中放置液晶层，下基板为阵列基板，上基板为彩膜基板，通过阵列基板上的电压改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到控制每个像素点入射光的透过率而达到显示的目的。

阵列基板包括衬底基板、数据线、源极、漏极、像素电极、栅极、栅线和栅绝缘层，各个电极和信号线主要通过构图工艺形成在阵列基板的衬底基板上，其中数据线和源极是在一次构图工艺中同时形成的，栅线和栅极是在一次构图工艺中同时形成的。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有的源极和数据线的材料会选择导体化的金属氧化物，而使用导体化金属氧化物作为数据线会产生比较严重的信号延迟现象，从而影响液晶显示器的显示品质。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法。所述技术方案如下：

一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极；

所述有源层和所述漏极位于同一层，所述有源层的材料包括金属氧化物，所述漏极的材料包括导体化的金属氧化物；

所述源极与所述栅绝缘层位于所述有源层的同一侧，且所述源极和所述栅绝缘层与所述有源层的同一侧面相接触，所述栅绝缘层位于所述源极与所述漏极之间，所述栅绝缘层的厚度大于所述源极的厚度，所述源极的材料包括金属；

所述栅极与所述栅绝缘层远离所述有源层的一面相接触。

一种阵列基板，所述阵列基板包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及所述栅线和所述数据线和所述数据线划分成的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和所述薄膜晶体管，

所述像素电极、所述薄膜晶体管的有源层和漏极位于同一层，所述漏极与所述像素电极相连接，所述像素电极的材料包括导体化的金属氧化物。

可选地，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述源极、所述栅极、所述漏极和所述像素电极。

可选地，所述薄膜晶体管的源极下方还设有缓冲金属层，所述缓冲金属层位于所述源极与所述有源层之间。

可选地，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述钝化层上。

一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板包括所述阵列基板。

一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分为有源层，所述第二部分位于所述第一部分和第三部分之间，在所述金属氧化物层上沉积源极层，所述源极层的材料包括金属，

通过一次构图工艺将所述源极层图案化，形成包括薄膜晶体管的源极的图形；