[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅绝缘层和栅极；

所述有源层和所述漏极位于同一层，所述有源层的材料包括金属氧化物，所述漏极的材料包括导体化的金属氧化物；

所述源极与所述栅绝缘层位于所述有源层的同一侧，且所述源极和所述栅绝缘层与所述有源层的同一侧面相接触，所述栅绝缘层位于所述源极与所述漏极之间，以及，所述栅绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间，所述栅绝缘层的厚度大于所述源极的厚度，所述栅极通过所述栅绝缘层与所述源极绝缘，所述源极的材料包括金属，所述源极和数据线由源极层通过一次构图工艺形成；

所述栅极与所述栅绝缘层远离所述有源层的一面相接触。

2.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及所述栅线和所述数据线划分成的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和权利要求1所述的薄膜晶体管，

所述像素电极、所述薄膜晶体管的有源层和漏极位于同一层，所述漏极与所述像素电极相连接，所述像素电极的材料包括导体化的金属氧化物。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述源极、所述栅极、所述漏极和所述像素电极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极下方还设有缓冲金属层，所述缓冲金属层位于所述源极与所述有源层之间。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述钝化层上。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求2-5任一项权利要求所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分为有源层，所述第二部分位于所述第一部分和第三部分之间，在所述金属氧化物层上沉积源极层，所述源极层的材料包括金属，

通过一次构图工艺将所述源极层图案化，形成包括薄膜晶体管的源极的图形和数据线的图形；

在所述源极、所述有源层、所述第二部分和所述第三部分上沉积栅绝缘层和栅极层；

通过一次构图工艺将所述栅绝缘层和所述栅极层图案化，形成包括所述薄膜晶体管的栅极和栅绝缘层的图形，并将所述第二部分形成包括所述薄膜晶体管的漏极的图形，以及将所述第三部分形成包括所述薄膜晶体管的像素电极的图形。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于，所述将所述第二部分形成包括所述薄膜晶体管的漏极的图形，以及将所述第三部分形成包括所述薄膜晶体管的像素电极的图形包括：

采用真空等离子气体轰击所述第二部分和所述第三部分对应的所述金属氧化物层，在所述第二部分形成包括所述漏极的图形，在所述第三部分形成包括所述像素电极的图形。

9.根据权利要求7所述方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：

在所述源极、所述栅极、所述漏极和所述像素电极上沉积钝化层。

10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：

在所述钝化层上沉积公共电极层，通过一次构图工艺将所述公共电极层图案化，形成公共电极的图形。

11.根据权利要求7-10任一项所述方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材料包括铝锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物中任意一种组成的单层金属氧化物，或铝锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物中任意几种组成的多层金属氧化物。