[发明专利]一种线路板的孤立线的阻抗控制方法有效
申请号: | 201510568363.X | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN105120599B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 范红;陈蓓;王红飞 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 曾旻辉 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线路板 孤立 阻抗 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及线路板导线阻抗控制领域,尤其是涉及一种线路板的孤立线的阻抗控制方法。
背景技术
传输线在生产加工过程中会考虑到蚀刻线的侧蚀效应与水池效应,即传输线到导体的间距越大,药水交换能力越强,侧蚀效应越明显,导致传输线实际完成线宽比设计线宽小的更多。如此,目前传输线设计线宽是由传输线的理论设计线宽进行补偿加宽得到,以保证传输线实际完成线宽与理论设计线宽一致。
为了解决现有技术中传输线存在侧蚀效应及水池效应导致传输线实际完成线宽与理论设计线宽不一致的缺陷,在外层蚀刻时,如图形电镀+正片蚀刻流程,现有措施会考虑使用对传输线进行动态补偿以增加传输线的理论设计线宽,使得消除不同间距下水池效应造成侧蚀差异。动态补偿具体思路为对不同间距采用不同的补偿、间距越大的补偿值越大的动态补偿方法,并通过软件自动扑捉其周围的间距,通过计算判断给出设定规则的补偿值。
然而,在图形电镀+正片蚀刻流程中,孤立线的铜厚将受到电镀电流密度分布差异的影响,其中孤立线指的是线路图形中与导体间距大于50mi l的传输线。即孤立线电流密度较大,孤立线与大铜皮区域间的电流密度之比可达到3:2以上,导致孤立线实际完成铜厚远远超出了理论设计铜厚,如此使得孤立线阻抗偏小。同时,在大电流密度下,孤立线容易出现电镀夹膜现象,它使得孤立线的顶部线宽增大以至于并形成蘑菇状。蘑菇状的孤立线能遮挡蚀刻药水在线路底部的交换能力,药水对孤立线的侧蚀能力减弱后,将使得孤立线的实际完成线宽偏大,孤立线的阻抗值进一步降低。可见,现有技术中的孤立线的阻抗的实际阻抗将比理论设计阻抗大大降低。
发明内容
基于此,本发明在于克服现有技术的缺陷,提供一种线路板的孤立线的阻抗控制方法,它能使得线路板的外层孤立线的实际阻抗与理论设计阻抗相接近。
其技术方案如下:一种线路板的孤立线的阻抗控制方法,包括如下步骤:制作菲林图形文件过程中,对传输线的理论设计线宽加宽补偿得到所述传输线的设计线宽,根据所述传输线的设计线宽得到传输线,并在孤立线的两侧设置若干超细分流线;在基板上贴干膜,根据所述菲林图形文件对贴设有干膜的所述基板进行曝光与显影处理;对显影处理后的所述基板进行镀铜处理,在镀铜处理后的所述基板表面上进行镀锡处理,将镀锡处理后的所述基板上的干膜退掉,再对退掉干膜的所述基板表面上的铜层进行蚀刻处理。
在其中一个实施例中,所述加宽补偿包括基本补偿a与动态补偿c,所述动态补偿根据所述传输线与最靠近所述传输线的导体间的距离确定,当所述传输线与所述导体间的距离X小于X1时,所述动态补偿随着X增大而逐渐增大,当所述传输线与所述导体间的距离X大于X1时,所述动态补偿随着X增大而逐渐减小,其中X1为50~100mil。
在其中一个实施例中,所述超细分流线的设计线宽b应满足b≤a。如此在蚀刻后,使得超细分流线被侧蚀干净,避免超细分流线残留成品板面上。
在其中一个实施例中,当X为0~10mil时,c为0;当X为10~20mil时,c为0.2;当X为20~30mil时,c为0.4;当X为30~40mil时,c为0.6;当X为40~50mil时,c为0.8;当X为50~60mil时,c为0.8;当X为60~70mil时,c为0.6;当X为70~80mil时,c为0.4;当X为80~90mil时,c为0.2;当X为大于90mil时,c为0。
在其中一个实施例中,当X为0~20mil时,c为0;当X为20~50mil时,c为0.6;当X为50~100mil时,c为0.2;当X为大于100mil时,c为0。
在其中一个实施例中,当X为0~10mil时,c为0;当X为10~20mil时,c为0.2;当X为20~30mil时,c为0.4;当X为30~40mil时,c为0.6;当X为40~50mil时,c为0.8;当X为50~100mil时,c为0.4;当X为大于100mil时,c为0。
在其中一个实施例中,对所述基板进行镀铜处理时,对所述基板所采用的电流密度为3~6ASF,电镀时间为150~250min。
在其中一个实施例中,对所述基板所采用的电流密度为4~5ASF,电镀时间为170~210min。
在其中一个实施例中,相邻所述超细分流线之间以及所述孤立线与最靠近所述孤立线的超细分流线之间的距离d为15~30mil。
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