[发明专利]一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法

权利要求书

1.一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法是按照以下步骤进行的：

一、吹洗舱体：

用气枪对微波等离子体辅助化学气相沉积仪器舱体内部进行吹洗；

二、关舱：

将样品台移入舱体中心位置，关闭舱体舱门；

三、抽真空：

关舱后，对舱体进行抽真空，使舱体内真空度达到3.0×10^-6mbar～5.0×10^-6mbar；

四、原位清洗：

①、开启程序，通入氢气，设定氢气流量为200sccm，使得舱体气压为10mbar，启动微波发生器，激活等离子体；

②、调节舱体气压为2mbar～8mbar，调节等离子体入射功率为1600W～1800W，调节反射功率为500W～1500W，使得等离子体球直径达到8cm～15cm；

③、调节氢气流量为300sccm～400sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛中清洗60min；

④、打开氧气阀门，通入氧气，设定氧气流量为15sccm～30sccm，待氧气与氢气的等离子体气氛混合均匀后，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、氧气流量为15sccm～30sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢氧混合等离子体气氛下清洗2h～10h；

⑤、关闭氧气阀门，停止通入氧气；

⑥、将氧气完全排出，保持氢气流量为300sccm～400sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛下清洗10min～30min；

⑦、将反射功率调节至100W～300W，关闭微波发生器，熄灭等离子体辉光；

⑧、调节氢气流量为50sccm～200sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar及氢气流量为50sccm～200sccm的条件下，对舱体吹洗10min～30min，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。

2.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤三中关舱后，对舱体进行抽真空，使舱体内真空度达到5.0×10^-6mbar。

3.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤四②中调节舱体气压为4mbar，调节等离子体入射功率为1650W，调节反射功率为1300W，使得等离子体球直径达到15cm。

4.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤四③中调节氢气流量为300sccm，在舱体气压为4mbar、氢气流量为300sccm、等离子体入射功率为1650W、反射功率为1300W及等离子体球直径为15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛中清洗60min。

5.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤四④中打开氧气阀门，通入氧气，设定氧气流量为15sccm。

6.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤四④中待氧气与氢气的等离子体气氛混合均匀后，在舱体气压为4mbar、氢气流量为300sccm、氧气流量为15sccm、等离子体入射功率为1650W、反射功率为1300W及等离子体球直径为15cm的条件下，舱体在氢氧混合等离子体气氛下清洗5h。

7.根据权利要求1所述的一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于步骤四⑥中将氧气完全排出，保持氢气流量为300sccm，在舱体气压为4mbar、氢气流量为300sccm、等离子体入射功率为1650W、反射功率为1300W及等离子体球直径为15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛下清洗20min。