[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜及其用途

说明书

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜为卷绕成卷形物的形式。

本申请是申请日为2011年7月28日、申请号为201110217073.2、发明名称为“倒装芯片型半导体背面用膜及其用途”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和使用其的半导体背面用切割带集成膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并用于提高其强度。此外，本发明涉及使用所述半导体背面用切割带集成膜的半导体器件的生产方法。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1)。可以激光标识背面用膜以增加其产物辨别能力(参见，专利文献2)。

专利文献1：JP-A-2007-158026

专利文献2：JP-A-2008-166451

发明内容

作为倒装芯片连接的典型步骤，将形成于背面用膜接合的半导体芯片表面上的焊料凸块(solder bump)等浸渍于焊剂中，其后，将凸块与形成于基板上的电极接触(如需要进一步将焊料凸块形成于电极上)，最终使焊料凸块熔融以将焊料凸块再流连接(reflowconnect)至电极。为了焊料凸块的清洁或防止氧化、焊料润湿性的改进等的目的，在焊接时使用焊剂。通过上述步骤，可以构建半导体芯片和基板之间良好的电连接。

在此通常使焊剂仅粘附至凸块部分。然而，焊剂在一些情况下依赖于加工条件粘附至粘贴至半导体芯片背面的背面用膜。然后，当在焊剂粘附至背面用膜的同时进行再流连接时，源自焊剂的污染发生在背面用膜的表面上从而引起劣化外观性或激光标识性的顾虑。

考虑到前述问题进行本发明，其目的在于提供倒装芯片型半导体背面用膜、使用其的半导体背面用切割带集成膜和半导体器件的生产方法，所述倒装芯片型半导体背面用膜即使当焊剂粘附至也能够防止发生污染并能够生产具有优良外观性的半导体器件。

为了解决前述问题，本发明人已进行研究。结果，本发明人已发现通过采用以下构造能够提供倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜可防止源自焊剂的污染的发生并可生产具有优良外观性的半导体器件，并完成本发明。

即，本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于所述粘合剂层上的保护层，其中所述保护层包括具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂或包括金属。