[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜及其用途有效
| 申请号: | 201510557774.9 | 申请日: | 2011-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN105153954B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | C09J7/29 | 分类号: | C09J7/29;H01L23/29;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 倒装 芯片 半导体 背面 及其 用途 | ||
1.一种半导体背面用切割带集成膜,其包括:
切割带,所述切割带包括基材和层压于所述基材上的压敏粘合剂层,和
倒装芯片型半导体背面用膜,其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上,所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于所述粘合剂层上的保护层,并且所述倒装芯片型半导体背面用膜层压于所述压敏粘合剂层上以致所述保护层面向所述压敏粘合剂层,
其中所述保护层由金属组成,和
其中所述半导体背面用切割带集成膜为卷绕成卷形物的形式。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜,其中所述金属为选自由铝、不锈钢、铁、钛、锡和铜组成的组的至少一种。
3.根据权利要求2所述的半导体背面用切割带集成膜,其中所述金属为耐酸铝。
4.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜,其中所述保护层面向所述粘合剂层的表面已进行表面活化处理。
5.根据权利要求4所述的半导体背面用切割带集成膜,其中所述表面活化处理为选自由等离子体处理、臭氧水处理、紫外线臭氧处理和离子束处理组成的组的至少一种处理。
6.一种半导体器件的生产方法,所述方法包括:
将半导体晶片粘贴至在根据权利要求1-5任一项所述的半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜上,
切割所述半导体晶片以形成半导体元件,
将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离,
将焊剂粘附至所述半导体元件中的被粘物用连接构件,和
将所述半导体元件倒装芯片连接至所述被粘物上。
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