[发明专利]一种抗静电锦纶的制备工艺在审
| 申请号： | 201510553365.1 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105088384A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陆国强 | 申请（专利权）人： | 太仓市宏亿化纤有限公司 |
| 主分类号： | D01F6/90 | 分类号： | D01F6/90;D01F1/09 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州市太仓*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗静电 锦纶 制备 工艺 | ||
1.一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
(1)按重量份计，称取30～70份锦纶切片、5～15份抗静电剂、1～10份阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的复配物、2～10份导电填料、5～10份玻璃纤维、0.5～2份抗氧剂、2～10份分散剂；
(2)干燥锦纶切片，将干燥后的锦纶切片与抗静电剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的复配物、导电填料、玻璃纤维、抗氧剂、分散剂混合后置于螺杆挤出机中，挤出造粒制备得到抗静电锦纶。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述抗静电剂为纳米级的碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，所述碳纳米管的管径为5～20nm，所述碳纳米管的长度为100～1000nm。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的复配物为烷基磷酸酯和聚氧乙烯醚类的复配物。
5.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述导电填料为粒径为10～100nm的导电氧化锌和/或导电氧化锡。
6.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述抗氧剂为亚磷酸酯抗氧剂和/或受阻酚抗氧剂。
7.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述分散剂为聚乙烯蜡、聚丙烯蜡、EVA蜡、OP蜡、TAF、TAS-2A、EBS中的一种或至少两种。
8.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述干燥的温度为160～170℃。
9.根据权利要求1所述的一种抗静电锦纶的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述挤出的温度为210～240℃。
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