[发明专利]封装结构及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构和一种封装方法。

背景技术

传统技术上，IC芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(WireBonding)的方式实现。随着IC芯片特征尺寸的缩小和集成电路规模的扩大，引线键合技术不再适用。

晶圆级芯片封装(WaferLevelChipsizePackaging，WLCSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片封装技术颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(CeramicLeadlessChipCarrier)、有机无引线芯片载具(OrganicLeadlessChipCarrier)的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片封装技术封装后的芯片达到了高度微型化，芯片成本随着芯片的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和发展趋势。

影像传感器芯片作为一种可以将光学图像转换成电子信号的芯片，其具有感应区域。当利用现有的晶圆级芯片封装技术对影像传感器芯片进行封装时，为了在封装过程中保护上述的感应区域不受损伤和污染，通常会在感应区域位置形成一个上盖基板。所述上盖基板在完成晶圆级芯片封装后，可以继续保留，在影像传感器芯片的使用过程中继续保护感应区域免受损伤和污染。

MP1506253

但是，采用上述晶圆级芯片封装技术形成的影像传感器性能不佳。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术形成的影像传感器性能不佳。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种封装结构。所述封装结构包括：芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；上盖板，所述上盖板的第一表面具有支撑结构，所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面，所述支撑结构位于所述上盖板和所述芯片单元之间，且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内；以及遮光层，所述遮光层覆盖在所述上盖板的与第一表面相对的第二表面上，并暴露出与所述感应区域相对的中间区域。

可选地，所述遮光层暴露出的所述上盖板中间区域的面积大于或者等于所述感应区域的面积。

可选地，所述遮光层还覆盖所述上盖板的部分侧壁。

可选地，所述遮光层的材料为黑色光敏有机材料，厚度为10μm～50μm。

可选地，所述遮光层的材料为金属，厚度为1μm～10μm。

可选地，所述遮光层的材料为铝。

可选地，所述金属的表面经过黑化处理。

可选地，所述芯片单元还包括：位于所述感应区域外的焊垫；从所述芯片单元的与第一表面相对的第二表面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；覆盖所述芯片单元第二表面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层；位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开孔；填充所述开孔，并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。

对应于上述的封装结构，本发明实施例还提供了一种封装方法，所述封装方法包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面包括多个芯片单元和位于芯片单元之间的切割道区域，所述芯片单元包括感应区域；提供封盖基板，在所述封盖基板的第一表面形成多个支撑结构，所述支撑结构与所述待封装晶圆上的感应区域相对应；将所述封盖基板的第一表面与所述待封装晶圆的第一表面相对结合，使得所述支撑结构与所述待封装晶圆的第一表面围成空腔，所述感应区域位于所述空腔内；在所述封盖基板的与第一表面相对的第二表面上形成遮光材料层，所述遮光材料层具有与所述感应区域对应的开口；沿所述切割道区域对所述待封装晶圆、所述封盖基板和所述遮光材料层进行切割，形成多个封装结构，所述封装结构包括所述芯片单元、由切割所述封盖基板形成的上盖板和由切割所述遮光材料层形成的遮光层，所述遮光层覆盖在所述上盖板的第二表面上，并暴露出与所述感应区域相对的中间区域。

可选地，沿所述切割道区域对所述待封装晶圆、所述封盖基板和所述遮光材料层进行切割包括：执行第一切割工艺，包括沿所述切割道区域从所述待封装晶圆的与第一表面相对的第二表面开始切割，直至到达所述待封装晶圆的第一表面形成第一切割沟槽；以及执行第二切割工艺，包括切割所述遮光材料层和所述封盖基板，形成与所述第一切割沟槽贯通的第二切割沟槽，同时形成多个封装结构。