[发明专利]封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201510552404.6 申请日: 2015-09-02
公开(公告)号: CN105070734A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 王之奇;洪方圆 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡杰赟;吴敏
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

芯片单元,所述芯片单元的第一表面包括感应区域;

上盖板,所述上盖板的第一表面具有支撑结构,所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面,所述支撑结构位于所述上盖板和所述芯片单元之间,且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内;以及

遮光层,所述遮光层覆盖在所述上盖板的与第一表面相对的第二表面上,并暴露出与所述感应区域相对的中间区域。

2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层暴露出的所述上盖板中间区域的面积大于或者等于所述感应区域的面积。

3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层还覆盖所述上盖板的部分侧壁。

4.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层的材料为黑色光敏有机材料,厚度为10μm~50μm。

5.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层的材料为金属,厚度为1μm~10μm。

6.如权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层的材料为铝。

7.如权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述金属的表面经过黑化处理。

8.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述芯片单元还包括:

位于所述感应区域外的焊垫;

从所述芯片单元的与第一表面相对的第二表面贯穿所述芯片单元的通孔,所述通孔暴露出所述焊垫;

覆盖所述芯片单元第二表面和所述通孔侧壁表面的绝缘层;

位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层;

位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层,所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开孔;

填充所述开孔,并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。

9.一种形成如权利要求1-8中任一项所述的封装结构的封装方法,其特征在于,包括:

提供待封装晶圆,所述待封装晶圆的第一表面包括多个芯片单元和位于芯片单元之间的切割道区域,所述芯片单元包括感应区域;

提供封盖基板,在所述封盖基板的第一表面形成多个支撑结构,所述支撑结构与所述待封装晶圆上的感应区域相对应;

将所述封盖基板的第一表面与所述待封装晶圆的第一表面相对结合,使得所述支撑结构与所述待封装晶圆的第一表面围成空腔,所述感应区域位于所述空腔内;

在所述封盖基板的与第一表面相对的第二表面上形成遮光材料层,所述遮光材料层具有与所述感应区域对应的开口;

沿所述切割道区域对所述待封装晶圆、所述封盖基板和所述遮光材料层进行切割,形成多个封装结构,所述封装结构包括所述芯片单元、由切割所述封盖基板形成的上盖板和由切割所述遮光材料层形成的遮光层,所述遮光层覆盖在所述上盖板的第二表面上,并暴露出与所述感应区域相对的中间区域。

10.如权利要求9所述的封装方法,其特征在于,沿所述切割道区域对所述待封装晶圆、所述封盖基板和所述遮光材料层进行切割包括:

执行第一切割工艺,包括沿所述切割道区域从所述待封装晶圆的与第一表面相对的第二表面开始切割,直至到达所述待封装晶圆的第一表面形成第一切割沟槽;以及

执行第二切割工艺,包括切割所述遮光材料层和所述封盖基板,形成与所述第一切割沟槽贯通的第二切割沟槽,同时形成多个封装结构。

11.如权利要求10所述的封装方法,其特征在于,沿所述切割道区域对所述待封装晶圆、所述封盖基板和所述遮光材料层进行切割还包括:

在所述第二切割工艺前执行第三切割工艺,所述第三切割工艺沿所述切割道区域从所述封盖基板的第二表面开始切割到达预设深度,形成第三切割沟槽;

在所述封盖基板的第二表面上形成遮光材料层时,所述遮光材料层覆盖所述第三切割沟槽侧壁;

所述第二切割工艺切割所述遮光材料层和所述封盖基板形成的第二切割沟槽贯通所述第一切割沟槽和第三切割沟槽,所述第二切割沟槽的宽度小于所述第三切割沟槽的宽度,在形成多个封装结构后,所述遮光层还覆盖所述上盖板的侧壁的上部区域。

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