[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，具有：

显示区域，其具有多个像素；和

虚拟像素区域，其配置在所述显示区域的外侧，且具有多个虚拟像素，

所述像素具有：

具有第1半导体层的薄膜晶体管；

与所述薄膜晶体管的栅电极连接的栅极线；和

与所述薄膜晶体管的漏电极连接的信号线，

所述虚拟像素具有：

所述栅极线；

与所述栅极线交叉的多个第2半导体层；和

与所述栅极线交叉的多个虚拟信号线，

所述栅极线沿着所述信号线的延伸方向排列多个，

所述虚拟信号线配置在所述第2半导体层上，

在所述虚拟信号线与所述第2半导体层之间形成有绝缘层，

所述多个虚拟信号线之间的间隔比所述信号线之间的间隔窄，

所述虚拟信号线经由接触孔与所述第2半导体层连接，

所述虚拟像素的所述第2半导体层和所述虚拟信号线与在所述栅极线的排列方向上相邻的其他虚拟像素的第2半导体层和虚拟信号线电气性分离。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述接触孔是两个接触孔，

所述两个接触孔在俯视观察时隔着所述栅极线各配置一个。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述第2半导体层在与所述栅极线交叉的部分中，在与所述第1半导体层相同的层上以相同的宽度形成。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述虚拟信号线在与所述信号线相同的层上以相同的宽度形成。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1半导体层及第2半导体层形成在所述栅极线的下层。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1半导体层及第2半导体层形成在所述栅极线的上层。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1半导体层及第2半导体层通过低温多晶硅或非晶硅形成。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述像素具有像素电极和公共电极。

9.一种显示装置，其特征在于，具有：

显示区域，其具有多个像素；和

虚拟像素区域，其配置在所述显示区域的外侧，且具有多个虚拟像素，

所述像素具有：

具有第1半导体层的薄膜晶体管；

与所述薄膜晶体管的栅电极连接的栅极线；和

与所述薄膜晶体管的漏电极连接的信号线，

所述虚拟像素具有：

所述栅极线；

与所述栅极线交叉的第2半导体层；和

与所述栅极线交叉的虚拟信号线，

所述虚拟信号线经由绝缘层配置在所述第2半导体层上，

所述虚拟信号线经由多个接触孔与所述第2半导体层连接，

所述多个接触孔在俯视观察时隔着所述栅极线各配置多个。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

所述第2半导体层在与所述栅极线交叉的部分中，在与所述第1半导体层相同的层上以比所述第1半导体层宽的宽度形成。

11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，

所述虚拟信号线在与所述信号线相同的层上以比所述信号线宽的宽度形成。