[发明专利]一种阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

目前，随着显示器尺寸的不断增大，驱动电路的频率不断提高，现有非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足需求，具备高迁移率金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor)形成沟道的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)已被逐渐广泛应用于显示领域。金属氧化物TFT具有迁移率高，均一性好，透明，制备工艺简单等优点，更好的满足了大尺寸液晶显示和有源有机电致发光(AMOLED)的需求，成为研究热点。

非晶铟镓锌氧化物是典型的透明金属氧化物半导体，在可见光波段具有较好的透光性，在420nm以上的波长照射时，非晶铟镓锌氧化物TFT的I-V曲线比较稳定，但是对于波长低于420nm的紫外光照射时，非晶铟镓锌氧化物TFT的I-V曲线开始大幅度漂移，很不稳定。因为紫外光的能量已经高于非晶铟镓锌氧化物的禁带宽度，导致I-V曲线发生漂移。因此解决氧化物半导体TFT的光稳定性成为研发、制备、生产中最大的难点。

发明内容

解决上述问题所采用的技术方案是一种阵列基板和显示装置。

本发明提供的一种阵列基板，包括多个呈阵列分布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物有源层，所述阵列基板还包括设置在所述氧化物有源层上方的光吸收层，所述光吸收层用于防止所述氧化物有源层受光线的照射。

优选的，所述光吸收层是采用碳化硅或黑色氧化锆制备的。

优选的，所述光吸收层是采用含铁，镍、铬中的任意一种或几种的有机材料制备的。

优选的，所述光吸收层和氧化物有源层之间设置界面改善层。

优选的，所述界面改善层是采用氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化锆中的任意一种或几种制备的。

优选的，所述薄膜晶体管包括用于保护所述氧化物有源层的刻蚀阻挡层，所述光吸收层设置在所述刻蚀阻挡层的上方或下方。

优选的，所述阵列基板包括位于所述薄膜晶体管上用于对所述薄膜晶体管进行保护的钝化层；所述光吸收层设置在所述钝化层的上方或下方。

优选的，所述薄膜晶体管包括用于保护氧化物有源层的刻蚀阻挡层；所述光吸收层是对刻蚀阻挡层进行离子注入形成的。

优选的，所述阵列基板包括用于对所述薄膜晶体管进行保护的钝化层层；所述光吸收层是对平坦化层进行离子注射形成的。

优选的，所述用于离子注入的离子选自碳离子，铁离子，镍离子、铬离子中的任意一种或几种。

优选的，所述光吸收层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述氧化物有源层的沟道区。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明提供的阵列基板和显示装置，由于薄膜晶体管氧化物有源层上方设置有光吸收层，所述光吸收层用于防止所述氧化物有源层受光线的照射，不会导致薄膜晶体管的I-V曲线发生漂移，解决氧化物半导体薄膜晶体管的光稳定性问题。

附图说明

图1为本发明实施例1中阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例2中阵列基板设有界面改善层的示意图；

图3为本发明实施例3中阵列基板的结构示意图；

其中1.衬底；2.栅极；3.栅极绝缘层；4.氧化物有源层；5.光吸收层；51.光吸收层；6.源漏极；7.像素电极；8.平坦化层；9.公共电极；10.界面改善层；11.刻蚀阻挡层。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

如图1所示，本实施例提供一种阵列基板，包括多个呈阵列分布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物有源层4和设置在所述氧化物有源层4上方的光吸收层5，所述光吸收层5用于防止所述氧化物有源层4受光线的照射。

本实施例的阵列基板由于薄膜晶体管氧化物有源层上方的光吸收层，所述光吸收层用于防止所述氧化物有源层受光线的照射，不会导致薄膜晶体管的I-V曲线发生漂移，解决氧化物半导体薄膜晶体管的光稳定性问题。

具体阵列基板的结构如图1所示，在衬底1上依次设置的栅极2、栅极绝缘层3、氧化物有源层4、光吸收层5、源漏极6、像素电极7、钝化层8、公共电极9。

其中，氧化物有源层4可以为氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌等，氧化物有源层材料通常对外界光线比较敏感，光稳定性不佳。

像素电极7和公共电极9可以分别为氧化铟锡,氧化铟锌等。