[发明专利]一种阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201510549808.X | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105070729A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘广辉;周斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/15;G02F1/1333;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括多个呈阵列分布的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括氧化物有源层，所述阵列基板还包括设置在所述氧化物有源层上方的光吸收层，所述光吸收层用于防止所述氧化物有源层受光线的照射。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收层是采用碳化硅或黑色氧化锆制备的。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收层是采用含铁，镍、铬中的任意一种或几种的有机材料制备的。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收层和氧化物有源层之间设置界面改善层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述界面改善层是采用氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化锆中的任意一种或几种制备的。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括用于保护所述氧化物有源层的刻蚀阻挡层，所述光吸收层设置在所述刻蚀阻挡层的上方或下方。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述薄膜晶体管上用于对所述薄膜晶体管进行保护的钝化层；所述光吸收层设置在所述钝化层的上方或下方。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括用于保护氧化物有源层的刻蚀阻挡层；所述光吸收层是对刻蚀阻挡层进行离子注入形成的。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述薄膜晶体管上用于对所述薄膜晶体管进行保护的钝化层；所述光吸收层是对钝化层进行离子注入形成的。
10.如权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，所述用于离子注入的离子选自碳离子，铁离子，镍离子、铬离子中的任意一种或几种。
11.如权利要求1-9任一所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述氧化物有源层的沟道区。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-11任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
