[发明专利]线栅偏振器以及制造线栅偏振器的方法

权利要求书

1.一种线栅偏振器，包括：

衬底，被配置为具有设置在该衬底的第一表面上的多个凹进图案；

多个导电线图案，被配置为分别设置在所述衬底的所述多个凹进图案 中；以及

氧化物层，被配置为设置在所述衬底和所述导电线图案上。

2.根据权利要求1所述的线栅偏振器，还包括：

支撑衬底，被配置为提供在所述衬底的与所述第一表面相反的第二表面 上。

3.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其中所述衬底被进一步配置为具 有1.0至1.7的折射率。

4.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配置 为具有100nm至1000nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配置 为接触所述衬底和所述导电线图案。

6.根据权利要求5所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配置 为在该氧化物层接触所述衬底的区域中比在该氧化物层接触所述导电线图 案的区域中更薄。

7.一种线栅偏振器，包括：

衬底，被配置为具有设置在该衬底的第一表面上的多个第一凹进图案以 及也设置在该衬底的所述第一表面上的第二凹进图案，该第二凹进图案具有 比所述第一凹进图案的宽度大的宽度；

多个导电线图案，被配置为分别设置在所述衬底的所述多个第一凹进图 案中；

反射层，被配置为设置在所述衬底的所述第二凹进图案中；以及

氧化物层，被配置为设置在所述衬底、所述导电线图案和所述反射层上。

8.根据权利要求7所述的线栅偏振器，还包括：

支撑衬底，被配置为提供在所述衬底的与所述第一表面相反的第二表面 上。

9.根据权利要求7所述的线栅偏振器，其中所述衬底被进一步配置为具 有1.0至1.7的折射率。

10.根据权利要求7所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配 置为具有100nm至1000nm的厚度。

11.根据权利要求7所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配 置为接触所述衬底、所述导电线图案和所述反射层。

12.根据权利要求11所述的线栅偏振器，其中所述氧化物层被进一步配 置为在该氧化物层接触所述衬底的区域中比在该氧化物层接触所述导电线 图案和所述反射层的区域中更薄。

13.一种制造线栅偏振器的方法，所述方法包括：

在衬底的第一表面上形成多个凹进图案；

在所述衬底的所述第一表面上以及在所述多个凹进图案内形成导电材 料层；以及

氧化所述导电材料层的在所述衬底上的部分以形成氧化物层以及分别 在所述多个凹进图案中的多个导电线图案。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述导电材料层包括使用化 学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述凹进图案包括：

在所述衬底上形成图案掩模；以及

通过利用所述图案掩模形成所述凹进图案。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述凹进图案包括：

在支撑衬底上施加衬底前驱体层；

压印所述衬底前驱体层；以及

固化被压印的衬底前驱体层。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

去除所述支撑衬底。