[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510543909.6 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN105390493B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 近藤英史 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/528 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,尹莹莹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
设置在半导体衬底上的多个电路,并且所述多个电路中的每一个包括具有阈值电压的半导体元件,所述阈值电压受控于提供给所述半导体衬底的衬底电压;
设置在所述半导体衬底上的一个或更多个布线层;
向所述多个电路中的每一个提供电源电压的网格图案的第一布线,所述电源电压被提供给所述第一布线的外周处的多个位置;
设置在布线层处的网格图案的第二布线,所述网格图案的第二布线接收所述衬底电压的供给;以及
网格图案的第三布线,所述网格图案的第三布线被设置在与设置有所述第二布线的布线层不同的布线层处,所述网格图案的第三布线具有连接到所述第二布线的外周的外周,并且所述网格图案的第三布线向所述半导体衬底提供所述衬底电压,
其中,所述衬底电压被提供给所述第二布线的中心部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第二布线和所述第三布线被配置成使得在与第一区对应的部分中所述衬底电压的绝对值的下降大于在与第二区对应的部分中所述衬底电压的绝对值的下降,其中,在所述第一区中所述多个电路的电路的功耗在半导体装置中相对高,在所述第二区中所述多个电路的电路的功耗与在所述第一区中相比较小。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第二布线的外周与所述第三布线的外周通过多个通孔彼此连接;以及
所述多个通孔中的在与所述第一区对应的部分中的通孔的形成密度小于所述多个通孔中的在与所述第二区对应的部分中的通孔的形成密度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,在所述第三布线中,在与所述第一区对应的部分处的布线宽度小于在与所述第二区对应的部分处的布线宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括生成所述衬底电压的电压生成部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第二布线的外周与所述第三布线的外周通过多个通孔彼此连接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述多个通孔以均匀的间隔被设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的