[发明专利]金属膜形成方法

说明书

提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

【技术领域】

本发明涉及对半导体装置的电极形成等有用的金属膜形成方法。

【背景技术】

在现有技术中，蒸镀或者溅射法被用于金属膜形成方法。应用电子束或者高频的真空蒸镀法等被广泛用于蒸镀，并且，用直流电源或者交流电源产生等离子体，随后，用等离子体溅射阳极金属，在阴极沉积金属的手法等被广泛用于溅射法中。但是，蒸镀或者溅射法需要真空工序，为此，在成本花费、大型化、量产化上还存在课题。

并且，熟知涂敷方法等被广泛用于金属膜形成方法。涂敷金属膏，干燥之后煅烧的手法被用于涂敷方法。但是，这样的涂敷方法中，煅烧需要650℃以上的高温，金属膜形成方法未必令人满意。另外，已知有有机金属气相沉积法等，和涂敷方法一样需要高温工序，并且未必能充分获得密合性。

对此，近年来尝试使用膏体来分散超微粒子，在基板上形成图案化金属膜。例如专利文献1中，已知一种手法，使由金属芯部和有机物涂敷层构成的复合金属超微粒子分散在溶剂中调制成金属膏，使该金属膏附着在半导体元件的电极上低温煅烧形成超微粒子电极。但是，Ag或者Au等贵金属超微粒子形成的金属薄膜难与平滑的无机酸化物基板发生反应，不能得到充分的密合性，尤其在为了增加导电性在薄金属排线上形成金属镀覆被膜时，由于电镀前处理或者电镀液导致的化学反应，存在金属排线从无机酸化物基板剥离的问题。

并且，在近年，正在研究通过气溶胶沉积法形成金属膜。专利文献2中记载一种方法，将金属离子气雾化，通过将所述气雾化金属粒子吹到基板上，在所述基板上形成由金属薄膜构成的电极或者排线图案，专利文献3中记载了一种方法，在透明电极表面通过气溶胶沉积法形成有金属薄膜构成的辅助电极。但是，根据气溶胶沉积法，电极和基板的密合性非常差，尤其不适用于在电极上形成需要的厚膜，并且，因为成膜时需要真空工序，成膜之后需要高温热处理，并不令人满意。

【背景技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利特开2001-168141号公报

【专利文献2】日本专利特开2011-153329号公报

【专利文献3】日本专利特开2013-129887号公报

【发明内容】

【发明要解决的课题】

本发明的目的是提供一种能够有利于工业成膜的密合性优良的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。

【为了解决课题的技术手段】

本发明人等为了达到上述目的进行了认真的研究，结果发现,使用含有氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂作为溶剂,雾化CVD法形成金属膜的话，与金属酸化物膜成膜时不同，容易形成密合性优良的金属膜。

并且，本发明人等得到了上述见解后，加以研究，完成了本发明。

即，本发明涉及到以下发明。

[1]一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，特征是包括在含有氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中，使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序，通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

[2]如所述[1]中所述的金属膜形成方法，所述有机溶剂包括氧化剂。