[发明专利]金属膜形成方法

权利要求书

1.一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，其特征为，含有如下：

用载气充分置换成膜室的气体环境；

在含有氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中，使金属溶解或分散而形成原料溶液，采用超声波将该原料溶液雾化产生雾；

将所述载气以0.01至20L/分钟的流量提供给所述雾，所述雾用载气通过供给管内导入至成膜室内，通过所述载气将所述雾提供给到所述成膜室中还到所述基体；以及

使所述雾发生热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜。

2.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述有机溶剂含有氧化剂。

3.如权利要求2中所述的金属膜形成方法，所述氧化剂与所述有机溶剂的体积比在1:99～50:50范围内。

4.如权利要求2所述的金属膜形成方法，所述氧化剂为水或过氧化氢。

5.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述有机溶剂含有胺化合物。

6.如权利要求5中所述的金属膜形成方法，所述胺化合物为二胺。

7.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述有机溶剂含有质子酸。

8.如权利要求7中所述的金属膜形成方法，所述质子酸为卤化氢酸。

9.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述热反应在200℃～650℃的温度下进行。

10.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述热反应在惰性气体或还原气体的环境下进行。

11.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述金属为从金(Au)，银(Ag)，白金(Pt)、铜(Cu)、铁(Fe)、锰(Mn)、镍(Ni)、钯(Pd)、钴(Co)、铑(Rh)、钌(Ru)、铬(Cr)、钼(Mo)，钨(W)以及铝(Al)中选出的一种或两种以上。

12.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述有机溶剂为醇。

13.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述原料溶液为下述a)和b)的混合溶液，

a)含有氧化剂，胺化合物或质子酸的有机溶剂；

b)含有所述金属的金属络化物溶液或金属盐溶液。

14.如权利要求1中所述的金属膜形成方法，所述载气含有改变载气浓度后的稀释气体。

15.一种利用权利要求1～14中任意一项所述的金属膜形成方法而形成的金属膜。

16.一种半导体装置，具备如权利要求15中所述的金属膜作为电极，并且还至少具备半导体层。