[发明专利]一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201510522702.0 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105118862A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 任敏;蔡果;杨珏琳;曹晓峰;陈哲;李爽;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粒子 效应 vdmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(9)和位于第一导电类型半导体衬底(9)上层的第一导电类型半导体外延层(8)；所述第一导电类型半导体衬底(9)下表面连接有漏极金属电极(10)；所述第一导电类型半导体外延层(8)上层两侧具有第二导电类型半导体体区(6)；所述第二导电类型半导体体区(6)中具有相互独立的第一导电类型半导体源区(5)和第二导电类型半导体体接触区(7)；所述第一导电类型半导体外延层(8)上表面具有源极金属电极(1)；所述源极金属电极(1)中具有氧化层(3)以及位于氧化层(3)上表面的多晶硅栅(2)构成的栅极结构；所述氧化层(3)下表面与第二导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体源区(5)的上表面连接；所述栅极结构与源极金属电极(1)之间具有介质层(4)；其特征在于，所述第一导电类型半导体外延层(8)中具有第二导电类型半导体柱(11)；所述第二导电类型半导体柱(11)的上表面与栅极结构连接，所述多晶硅栅(2)与所述第二导电类型半导体柱(11)存在交叠部分，所述源极金属电极(1)贯穿栅极结构与第二导电类型半导体柱(11)的上表面连接；所述第二导电类型半导体柱(11)与第二导电类型半导体体区(6)之间具有第一导电类型半导体区(12)。
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