[发明专利]一种移除光刻胶的方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种移除光刻胶的方法。

背景技术

光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。采用感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每一层结构面上形成所需要的图案。在进行后一层处理时，需要将前一次使用后的光刻胶完全去除。

现有技术中，去除光刻胶的方法主要是灰化和全湿法清洗。在去除过程中，很容易对光纤面板材料造成损伤，同时，需要频繁更换清洗液。另外，现有技术中使用的浓硫酸，只能去除光刻胶表层，不能彻底去除光刻胶。

发明内容

本发明的一个目的是一种移除光刻胶的方法，包括以下步骤：

（1）使用湿法刻蚀去除光刻胶；

（2）使用酸溶液洗涤涂有光纤面板的光刻胶；

（3）加热碱溶液，使用碱溶液浸泡洗涤；

（4）向碱溶液中持续通入臭氧；

（5）使用高锰酸钾溶液浸泡洗涤；

（6）使用有机溶剂浸泡；

（7）使用去离子水冲洗。

所述酸溶液为次氯酸溶液、高氯酸溶液、氢氟酸溶液或硝酸溶液。

所述碱溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氨水溶液中的一种或几种。

加热碱溶液的温度为70-90℃，使用碱溶液洗涤10分钟以上。

通入臭氧的时间为20分钟以上。

所述在高锰酸钾中浸泡洗涤10分钟以上。

所述有机溶剂为正己烷和N-N二甲基甲酰胺(DMF)中的一种或两种。

使用有机溶剂浸泡的时间为1小时以上。

使用有机溶剂浸泡的温度为40-55℃。

发明使用了湿法刻蚀去除光刻胶，同时配合酸洗涤、碱洗涤和氧化去除步骤，然后再使用有机溶剂浸泡，能够分别去除光刻胶表层和底层部分，彻底去除光纤面板上的光刻胶。本发明移除光刻胶效果好，通过温度和时间的设定，达到最佳的去除效果，同时对纤维面板材料损伤小，洗涤液可以多次反复使用。

具体实施方式

实施例1

（1）使用湿法刻蚀去除光刻胶；

（2）使用浓度为20%的次氯酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留；

（3）加热浓度为9%的氢氧化钠溶液至70℃，浸泡洗涤；

（4）向浸泡光纤面板的氢氧化钠溶液中持续通入臭氧20分钟；

（5）放入浓度为4%的高锰酸钾中浸泡洗涤10分钟；

（6）使用正己烷于55℃浸泡1小时；

（7）取出使用去离子水冲洗，烘干。

实施例2

（1）使用湿法刻蚀去除光刻胶；

（2）使用浓度为50%的高氯酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留；

（3）加热浓度为的10%氢氧化钾溶液至90℃，浸泡洗涤；

（4）向浸泡光纤面板的氢氧化钾溶液中持续通入臭氧25分钟；

（5）放入浓度为3%的高锰酸钾中浸泡洗涤20分钟；

（6）使用N-N二甲基甲酰胺于45℃浸泡1.5小时；

（7）取出使用去离子水冲洗，烘干。

实施例3

（1）使用湿法刻蚀去除光刻胶；

（2）使用浓度为20%的氢氟酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留；

（3）加热浓度为的8%氢氧化钾、氢氧化钠混合碱溶液至80℃，浸泡洗涤；