[发明专利]磨削装置在审
申请号: | 201510520733.2 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105390413A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 森俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/301 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磨削 装置 | ||
技术领域
本发明涉及对圆板状的晶片进行磨削而将其薄化的磨削装置。
背景技术
对圆板状的晶片进行磨削而将其薄化的磨削装置至少具有:卡盘工作台,其具有保持晶片的保持面;以及磨轮,该磨轮中,在安装在主轴的下端的轮基台上将磨石排列成环状。卡盘工作台的保持面形成为圆锥面。当在该磨削装置中磨削晶片时,以使磨石的轨迹始终经过晶片的中心的方式使磨轮与卡盘工作台旋转而磨削晶片。此时,由于仿形于卡盘工作台的保持面而将晶片保持成圆锥状,因此与其对应地调整卡盘工作台的旋转轴与主轴的旋转轴之间的倾斜关系,以从晶片的中心到外周(边缘)描绘圆弧的方式,使磨石的轨迹中的至少半圆部分与晶片接触来进行磨削。这样,通过使磨石在从晶片的中心朝向外周的方向上与晶片接触,防止对边缘附近施加冲击,防止产生碎裂。
并且,当通过磨削使晶片变薄时,存在如下问题:晶片的刚性降低而在之后的工序中晶片的处理变得困难,因此提出了如下的磨削方法:例如在晶片的背面中的与形成有多个器件的器件区域对应的区域形成凹部,在与器件区域的外周侧的外周剩余区域对应的区域形成环状的凸部。同样在该磨削方法中,使圆锥面的卡盘工作台的旋转轴倾斜,调整卡盘工作台的旋转轴与主轴的旋转轴之间的倾斜关系,使用磨石的轨迹的半圆部分来磨削晶片(例如,参照下述的专利文献1)。
专利文献1:日本特开2008-060470号公报
发明内容
但是,在晶片的中央部分形成凹部而在其外周侧形成环状的凸部的加工中,由于不存在磨石相对于晶片的边缘附近的移出移入,因此不会在边缘附近产生碎裂。因此,在该磨削中也使用磨石的半圆部分来磨削晶片会降低效率。
并且,当使卡盘工作台为圆锥面并使其旋转轴倾斜而调整与主轴的旋转轴之间的倾斜关系来进行磨削时,被磨削区域的厚度容易产生偏差,提高厚度精度很困难。
本发明是鉴于上述的情况而完成的,其目的在于,当在晶片的中央部分形成凹部而在其外周侧形成环状的凸部的情况下,高效地磨削晶片并且提高凹部的厚度精度。
本发明是一种磨削装置,该磨削装置用于磨削加工,在所述磨削加工中,利用磨石对圆板状的晶片的上表面的中央部分进行磨削而形成圆状的凹部,并且在未被磨削的、该凹部的外周侧形成环状的凸部,所述磨削装置具有:保持构件,其保持晶片的下表面;磨削构件,其对由该保持构件保持的晶片的上表面的中央部分进行磨削;以及磨削进给构件,其对该磨削构件在使其相对于由该保持构件保持的晶片接近及分离的方向上进行磨削进给,该保持构件具有:卡盘工作台,该卡盘工作台的上表面形成为平面,所述上表面是对晶片的下表面进行保持的保持面;以及卡盘工作台旋转机构,该卡盘工作台旋转机构使该卡盘工作台以该卡盘工作台的中心为轴进行旋转,该磨削构件具有:磨轮,该磨轮中,在轮基台上将磨石配设成环状;以及主轴单元,该主轴单元使该磨轮旋转,该磨石的外周的直径是该凹部的半径以上且是该凹部的直径以下,使该主轴单元的旋转轴与该卡盘工作台的旋转轴平行,该磨石的外侧面与该凹部的内侧面相接,该磨石经过晶片的中心而对晶片的中央部分进行磨削。
本发明的磨削装置中,由于磨石的外周的直径为晶片的凹部的半径以上且为凹部的直径以下,并使主轴单元的旋转轴与卡盘工作台的旋转轴平行,磨石的外侧面与凹部的内侧面接触,磨石以经过晶片的中心的方式磨削晶片的中央部分,由此,能够使磨石的整个面与晶片的上表面接触而高效地进行磨削,能够提高磨削后的晶片的凹部的厚度精度。
附图说明
图1是示出磨削装置的结构的立体图。
图2是示出保持构件和磨削构件的结构的剖视图。
图3是示出通过磨石对晶片实施磨削的状态的仰视图。
图4是示出在晶片的中央部分形成了多个圆弧状的磨削痕的状态的俯视图。
图5是用于示出通过磨石在晶片的中央部分形成了凹部的状态、并且说明该凹部与磨石之间的大小关系的立体图。
图6是示出磨削构件的另一例的剖视图。
图7是示出通过构成磨削构件的另一例的磨石对晶片实施磨削的状态的仰视图。
标号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510520733.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造