[发明专利]一种光斑转换器及光学装置有效
| 申请号： | 201510516253.9 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106468810B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 沈百林;李蒙;张琦 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B27/09 |
| 代理公司： | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张建秀;栗若木<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光斑转换器 光学装置 亚波长光栅 二氧化硅 折射率比 折射率 覆盖 加工 | ||
1.一种光斑转换器，其特征在于，包括：
第一芯，所述第一芯为亚波长光栅；所述亚波长光栅的始端与常规波导通过桥接波导方式相连，所述亚波长光栅的末端靠近耦合光纤；所述亚波长光栅的有效折射率从始端至末端逐渐减小，所述始端的有效折射率与所述常规波导的折射率相同，所述末端的有效折射率比二氧化硅的折射率大第二比例，所述第二比例为小于或等于20％；
覆盖在所述第一芯上的第二芯，所述第二芯为折射率比二氧化硅的折射率大第一比例的材料，所述第一比例为大于或等于2％且小于或等于10％。
2.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，所述亚波长光栅的末端靠近耦合光纤，包括：
所述亚波长光栅的末端靠近耦合光纤，且不接触耦合光纤。
3.如权利要求2所述的光斑转换器，其特征在于，
所述第一芯为小尺寸的亚波长光栅。
4.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，所述第二芯的长度大于所述第一芯的长度。
5.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，所述第二芯的尺寸与外接的耦合光纤的尺寸匹配。
6.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，所述亚波长光栅将光斑放大到所述第二芯的尺寸，外接的耦合光纤将光聚焦到第二芯的尺寸。
7.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，所述亚波长光栅的周期为300nm，占空比为50％，最小宽度为300nm，最大宽度为500nm。
8.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，还包括：覆盖在所述第二芯上的二氧化硅覆盖层。
9.如权利要求1所述的光斑转换器，其特征在于，还包括：二氧化硅埋层以及设置在所述二氧化硅埋层下面的硅基底，所述第一芯及所述第二芯位于二氧化硅埋层上，所述第二芯覆盖第一芯未和二氧化硅埋层接触的所有表面。
10.一种光学装置，其特征在于，包括：
如权利要求1至9任一项所述的光斑转换器；
耦合光纤，耦接在所述光斑转换器的所述第二芯的侧边端面。
11.如权利要求10所述的光学装置，其特征在于，所述耦合光纤为透镜光纤。
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