[发明专利]用于集成闪存器件和高k金属栅极逻辑器件的凹进的硅化物结构

权利要求书

1.一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，所述集成电路包括：

闪存单元，具有存储栅极，具有从所述存储栅极的侧壁突出的第一存储栅极、第二存储栅极和第三存储栅极，其中，两个伪选择栅极与所述第一存储栅极、所述第二存储栅极和所述第三存储栅极交错，所述第一存储栅极将所述第二存储栅极和所述第三存储栅极分离并且所述第一存储栅极相对于所述第二存储栅极的顶面和所述第三存储栅极的顶面具有凹进的上表面；

硅化物接触衬垫，布置在所述第一存储栅极上方，其中，所述硅化物接触衬垫的顶面相对于所述第二存储栅极的顶面是凹进的；以及

电介质侧壁间隔件，位于所述第一存储栅极的上表面上并且从所述第二存储栅极的顶面延伸至所述硅化物接触衬垫的顶面。

2.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，还包括：垂直接触件，连接至所述硅化物接触衬垫。

3.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，所述硅化物接触衬垫在介于所述电介质侧壁间隔件的两个内侧壁之间的所述第一存储栅极的上表面上连续地延伸。

4.一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，所述集成电路包括：

半导体衬底，包括由闪存单元的阵列构成的存储阵列区和不同于所述存储阵列区的存储器接触衬垫区；

存储栅极，在第一方向上从所述阵列中的闪存单元延伸至所述存储器接触衬垫区；

选择栅极，与所述存储栅极平行地从所述阵列中的闪存单元延伸至所述存储器接触衬垫区；以及

其中，所述存储栅极在所述存储器接触衬垫区内改变为在与所述第一方向平行的第二方向上延伸并且在所述存储器接触衬垫区内的第一伪选择栅极和第二伪选择栅极之间延伸，所述第一伪选择栅极具有第一高度，所述第二伪选择栅极具有不同于所述第一高度的第二高度；以及

硅化物接触衬垫，布置在所述存储器接触衬垫区中的所述存储栅极的顶面上方，其中，所述存储器接触衬垫区中的所述硅化物接触衬垫的顶面相对于所述存储阵列区中的所述存储栅极的顶面是凹进的。

5.根据权利要求4所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，其中，所述硅化物接触衬垫布置在所述存储器接触衬垫区中的所述存储栅极的顶面内的凹槽中。

6.根据权利要求5所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，其中，电介质侧壁间隔件沿着所述凹槽的侧壁从所述第一伪选择栅极的上表面延伸至所述凹槽底部的所述硅化物接触衬垫的顶面。

7.根据权利要求5所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，还包括：垂直接触件，延伸穿过所述凹槽并且连接至位于所述存储器接触衬垫区中的所述硅化物接触衬垫。

8.根据权利要求4所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，还包括：

逻辑区，布置在所述半导体衬底中；以及

逻辑器件，布置在所述逻辑区中并且包括通过介电常数超过3.9的材料与所述半导体衬底分隔开的金属栅极；

其中，所述存储器接触衬垫区中的所述存储栅极的顶面和所述硅化物接触衬垫的顶面相对于所述金属栅极的顶面是凹进的。

9.根据权利要求4所述的用于嵌入式闪存器件的集成电路，其中，所述闪存器件包括：

电荷捕获电介质，布置在所述存储栅极下面并且介于所述选择栅极和所述存储栅极的相邻侧壁之间。