[发明专利]用于集成闪存器件和高k金属栅极逻辑器件的凹进的硅化物结构

说明书

本发明的一些实施例提供了用于嵌入式闪存单元的集成电路(IC)。IC包括具有存储单元栅极的闪存单元。硅化物接触衬垫布置在存储单元栅极的凹槽中。硅化物接触衬垫的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的。电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅极的顶面延伸至硅化物接触衬垫的顶面。本发明还提供了一种制造嵌入式闪存器件的方法。

技术领域

本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及嵌入式闪存器件。

背景技术

半导体制造工业在过去的几十年里已经历了快速发展。在半导体演变过程中，随着时间的推移，已减小了半导体器件的最小特征尺寸，从而有助于增加连续几代的集成电路(IC)中每单元面积上的半导体器件的数量。这种器件“缩小”允许工程师将更多的器件和更多的相应功能封装在最新一代的IC上，因此成为现代数码时代的一种潜在驱动力。另一个有助于提高IC功能的进步为用金属栅极代替传统的多晶硅栅极，并且用所谓的高k电介质代替传统的二氧化硅栅极电介质。然而，二氧化硅具有约3.9的介电常数，高k电介质具有大于3.9的介电常数，这样有助于降低栅极漏电流且允许晶体管的较快的开关。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，该集成电路包括：闪存单元，具有存储单元栅极；硅化物接触衬垫，布置在存储单元栅极的凹槽中，其中，硅化物接触衬垫的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的；以及电介质侧壁间隔件，沿着凹槽的侧壁从存储单元栅极的顶面延伸至硅化物接触衬垫的顶面。

优选地，该IC还包括：垂直接触件，延伸穿过凹槽并且连接至硅化物接触衬垫。

优选地，该存储单元栅极是在闪存单元的沟道区上方延伸的存储栅极。

优选地，凹槽终止于存储栅极的上表面和邻近存储栅极的伪选择栅极的上表面，存储栅极的上表面和伪选择栅极的上表面共平面。

优选地，凹槽关于存储栅极和邻近存储栅极的伪选择栅极是不对称的。

优选地，存储单元栅极是在闪存单元的沟道区上方延伸的选择栅极。

优选地，凹槽终止于选择栅极的上表面，并且硅化物接触衬垫在介于电介质侧壁间隔件的两个内侧壁之间的选择栅极的上表面上连续地延伸。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，该集成电路包括：半导体衬底，包括由闪存单元的阵列构成的存储阵列区和不同于存储阵列区的存储器接触衬垫区；存储单元栅极，从阵列中的闪存单元延伸至存储器接触衬垫区；以及硅化物接触衬垫，布置在存储器接触衬垫区中的存储单元栅极的顶面上方，其中，存储器接触衬垫区中的硅化物接触衬垫的顶面相对于存储阵列区中的存储单元栅极的顶面是凹进的。

优选地，硅化物接触衬垫布置在存储器接触衬垫区中的存储单元栅极的顶面内的凹槽中。

优选地，电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅极的上表面延伸至凹槽底部的硅化物接触衬垫的顶面。

优选地，该IC还包括：垂直接触件，延伸穿过凹槽并且连接至位于存储器接触衬垫区中的硅化物接触衬垫。

优选地，存储单元栅极是从接触衬垫区的位置水平延伸至闪存单元的沟道区上方的选择栅极。

优选地，存储单元栅极是从接触衬垫区中的位置水平延伸至闪存单元的沟道区上方的存储栅极。

优选地，凹槽终止于存储栅极的上表面和伪选择栅极的上表面，存储栅极的上表面和伪选择栅极的上表面共平面。

优选地，凹槽相对于存储栅极和伪选择栅极是不对称的。