[发明专利]一种OLED显示器件的密封工艺

说明书

技术领域

本发明属于OLED加工领域，具体涉及一种OLED显示器件的密封工艺。

背景技术

有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiodes，简称OLED)具有的全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低成本、低功耗、无视角限制、工作温度范围广等特性，而且可以制作在柔性、轻便、耐用的塑料基板上，能够实现真正意义上的柔性显示，是最能符合人们对未来器件要求的一项技术。

OLED器件的使用寿命是制约OLED产业发展的瓶颈，而影响OLED器件使用寿命的因素很多，有物理性因素，如器件结构，电路驱动方式等；也有化学性因素，如金属阴极的氧化，有机材料的晶化等。尽管人们对OLED的失效机理还不完全清楚，但有许多研究结果表明了OLED器件内部水汽的存在是影响OLED的寿命主要因素。因此，提供一种提高高密性，具有生成膜保护，可以延长OLED显示器件的寿命的工艺，是该领域目前刻不容缓的事情。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于克服传统封装工艺中的单一封装不能满足OLED显示的密封要求的技术瓶颈，从而提出一种提高使用寿命的OLED显示器件的密封工艺。

为解决上述技术问题，本发明的公开了一种OLED显示器件的密封工艺，所述工艺包括如下步骤：首先对OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积，然后再行有机高分子封装。

所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述等离子体增强化学气相沉积步骤为：

A、将OLED显示器件在真空条件下传入等离子体增强化学气相沉积反应腔室；

B、对等离子体增强化学气相沉积进行真空预抽；

C、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行预清洗；

D、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积反应；

所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述步骤D后还包括对等离子体增强化学气相沉积进行真空再抽。

所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述真空再抽时间为5分钟，真空至压强低于2*10^-3Pa。

所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述等离子体增强化学气相沉积反应为：SiHx+N₂O+NH₃→SiON_x+H₂+N₂。

任一项所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述步骤A中的真空条件为4*10^-2Pa。

任一项所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述步骤B中的真空预抽至压强低于2*10^-3Pa。

任一项所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述步骤C中的预清洗条件为：用700sccm的N₂O，在1Torr，40Watts，180℃的温度条件下进行进行预清洗1分钟。

任一项所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述步骤D中的等离子体增强化学气相沉积反应条件为：用50sccmSiH₄，156sccmN₂O，2000sccmN₂，2Torr，80Watts，180℃温度。

任一项所述的OLED显示器件的密封工艺，其中，所述有机高分子封装步骤为：在料舟中加入对二甲苯，然后放入反应腔室内的蒸发室中，经过蒸发控制进入裂解室裂解生成稳定的活性单体，再流经分流器进入沉积室，在室温下沉积，在表面吸附聚合形成聚对二甲苯薄膜层。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点，本发明所述工艺良好的解决了现有工艺中的单一封装不能满足OLED显示的封装要求；本发明中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，利用了等离子体的活性来促进反应，使得化学反应能在较低的温度下进行；本发明中的有机高分子(CVD)则是由活性小分子在基材表面“生长”出完全敷形的聚合物薄膜(即氮氧化硅膜层的互补膜层)，可弥补等离子体增强化学气相沉积(PECVD)封装形成的孔隙缺陷，从而进一步把器件和空气隔开，对OLED显示器件进行封装，因而隔绝水氧气氛的渗透，可有效地防止OLED各功能层以及阴极与空气中的水、氧等成分发生反应，同时为OLED显示层提供保护；提高产品的寿命。因此具有极大的市场前景和经济价值。

具体实施方式