[发明专利]一种OLED显示器件的密封工艺有效

专利信息
申请号: 201510514483.1 申请日: 2015-08-20
公开(公告)号: CN105206764A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 杨晓 申请(专利权)人: 深圳市星火辉煌系统工程有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 任哲夫
地址: 518000 广东省深圳市盐田*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 oled 显示 器件 密封 工艺
【权利要求书】:

1.一种OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述工艺包括如下步骤:

首先对OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积,然后再行有机高分子封装。

2.如权利要求1所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积步骤为:

A、将OLED显示器件在真空条件下传入等离子体增强化学气相沉积反应腔室;

B、对等离子体增强化学气相沉积进行真空预抽;

C、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行预清洗;

D、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积反应。

3.如权利要求2所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D后还包括对等离子体增强化学气相沉积进行真空再抽。

4.如权利要求3所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述真空再抽时间为5分钟,真空至压强低于2*10-3Pa。

5.如权利要4所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D中等离子体增强化学气相沉积反应为:SiHx+N2O+NH3→SiONx+H2+N2

6.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤A中的真空条件为4*10-2Pa。

7.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤B中的真空预抽至压强低于2*10-3Pa。

8.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤C中的预清洗条件为:用700sccm的N2O,在1Torr,40Watts,180℃的温度条件下进行进行预清洗1分钟。

9.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D中的等离子体增强化学气相沉积反应条件为:用50sccmSiH4,156sccmN2O,2000sccmN2,2Torr,80Watts,180℃温度。

10.如权利要求1-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述有机高分子封装步骤为:在料舟中加入对二甲苯,然后放入反应腔室内的蒸发室中,经过蒸发控制进入裂解室裂解生成稳定的活性单体,再流经分流器进入沉积室,在室温下沉积,在表面吸附聚合形成聚对二甲苯薄膜层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市星火辉煌系统工程有限公司,未经深圳市星火辉煌系统工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510514483.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top