[发明专利]一种OLED显示器件的密封工艺有效
申请号: | 201510514483.1 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105206764A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 杨晓 | 申请(专利权)人: | 深圳市星火辉煌系统工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 任哲夫 |
地址: | 518000 广东省深圳市盐田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 器件 密封 工艺 | ||
1.一种OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述工艺包括如下步骤:
首先对OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积,然后再行有机高分子封装。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积步骤为:
A、将OLED显示器件在真空条件下传入等离子体增强化学气相沉积反应腔室;
B、对等离子体增强化学气相沉积进行真空预抽;
C、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行预清洗;
D、对等离子体增强化学气相沉积反应腔室内的OLED显示器件进行等离子体增强化学气相沉积反应。
3.如权利要求2所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D后还包括对等离子体增强化学气相沉积进行真空再抽。
4.如权利要求3所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述真空再抽时间为5分钟,真空至压强低于2*10-3Pa。
5.如权利要4所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D中等离子体增强化学气相沉积反应为:SiHx+N2O+NH3→SiONx+H2+N2。
6.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤A中的真空条件为4*10-2Pa。
7.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤B中的真空预抽至压强低于2*10-3Pa。
8.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤C中的预清洗条件为:用700sccm的N2O,在1Torr,40Watts,180℃的温度条件下进行进行预清洗1分钟。
9.如权利要求2-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述步骤D中的等离子体增强化学气相沉积反应条件为:用50sccmSiH4,156sccmN2O,2000sccmN2,2Torr,80Watts,180℃温度。
10.如权利要求1-5任一项所述的OLED显示器件的密封工艺,其特征在于,所述有机高分子封装步骤为:在料舟中加入对二甲苯,然后放入反应腔室内的蒸发室中,经过蒸发控制进入裂解室裂解生成稳定的活性单体,再流经分流器进入沉积室,在室温下沉积,在表面吸附聚合形成聚对二甲苯薄膜层。
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