[发明专利]一种电润湿显示下基板的制备方法在审
申请号: | 201510511125.5 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105097672A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 水玲玲;窦盈莹;金名亮;周国富 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02B26/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明 |
地址: | 510631 广东省广州市大学城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 润湿 显示 下基板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电润湿显示技术领域;特别涉及一种电润湿显示下基板的制备方法,尤其是可以在曲面基板上制备像素墙的电润湿显示下基板的制备方法。
背景技术
电润湿(EFD,ElectrofluidicDisplay),又名电湿润,通过控制电压来调控基板表面材料的润湿性从而控制油墨运动的显示技术。参照图1和图2,电润湿显示器件包括上基板1、封装胶框2及下基板4,下基板4包含导电层3(TFT、ITO基板、金属电极基板、高分子导电薄膜)、疏水绝缘层5、像素墙6。上基板1和下基板4组成的密封腔体中填充有不导电的第一流体7(烷烃、硅油等),及导电的第二流体8(水、盐溶液或离子液),流体相互接触且不可混溶。电润湿显示器的疏水绝缘层5是其核心功能结构,该层覆盖下基板4的导电层3,在其之上设置有壁图案即像素墙6,由像素墙6所围成的像素格9结构即为显示区域,电润湿显示装置就在这个显示区上产生显示效果。
像素墙材料一般为光刻胶类物质,又称光致刻蚀剂,通过传统的光刻工艺在疏水绝缘层表面实现图案化,利用光致抗蚀剂的光化学反应特点,在紫外线照射下,通过光致刻蚀剂的光化学反应将掩模版上的图形精确地印制在涂有光致抗蚀剂的工件表面,进而对光致刻蚀剂进行显影处理,从而获得复杂的精细图形,一般要经过涂布、烘烤、曝光、显影等步骤,工艺较为复杂。
而且因现阶段曝光等工艺的技术限制,像素墙材料的图案化需要平整的基板,对于弯曲基板则难以进行光刻工艺,因此限制了电润湿工艺在弯曲显示屏领域的应用。寻找一种能够实现曲面显示屏制作的像素墙制备的方法具有非常重要的意义。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种电润湿显示下基板的制备方法。
本发明所采取的技术方案是:
一种电润湿显示下基板的制备方法,包括在电润湿显示器件下基板的疏水绝缘层上形成像素墙的步骤,该步骤具体为:
S10:据像素墙的排布制备图案化的模板;
S20:在模板上填充像素墙材料,半定型;
S30:将像素墙从模板转移至电润湿显示下基板的疏水绝缘层上。
优选地,所述模板为无机材料、金属材料或聚合物材料。优选地,所述无机材料为玻璃或者单晶硅,所述聚合物材料为PDMS、PMMA、PI、PET、PEN、PC、PCO、PES和PAR中的任一种;所述金属材料为铝、铜或钢,进一步优选地,为铝。
进一步优选地,所述模板为柔性模板,可以弯曲,这样便于在弯曲基板表面制备像素墙。
优选地,所述S20中,像素墙材料的填充方式为旋涂、滚涂、狭缝涂、浸涂、喷涂、刮涂、凹印、凸印、丝网印刷和喷墨打印中的任一种。
优选地,所述S20中,采用加热方式进行半定型,加热温度为80-120℃,加热时间为1min-1h。
优选地,所述半定型后的像素墙材料中含有溶剂,溶剂含量A为:20wt%≤A≤65wt%;进一步优选地,30wt%≤A≤50wt%。
进一步优选地,所述S30具体包括如下步骤:
将模板上填充有像素墙材料的一面与疏水绝缘层紧密贴合;可以通过加压和/或抽真空的方式来实现紧密贴合;
加热去除像素墙材料中的溶剂,固化成型;
脱模,进一步固化像素墙。
本发明的有益效果是:本发明提供了一种电润湿显示下基板的制备方法,采用模板法先制备出像素墙,然后将其转移至疏水绝缘层上,从而可以实现在平整基板表面或者弯曲基板表面的图案化,与传统的光刻技术相比,工艺简单易实现,成本低,所述模板可以长达100次甚至更多的重复利用,而且没有光散射带来的精度限制,能制造复杂的三维结构,精度控制也好,并且解决了采用传统光刻工艺制备像素墙无法在弯曲基板上实现不足,可以实现曲面上的微结构制造。本发明可用于电润湿装置。
附图说明
图1为电润湿显示器件结构简图。
图2为电润湿显示器件像素格结构简图。
图3为本发明的模板制作流程图。
图4为本发明的像素墙制备流程图。
图5为本发明一具体实施例的基模板、模板和得到的像素墙的显微结构图及高度分布图。
图6为本发明的其他实施例的倒梯形像素墙(图6-(c))对应的基模板(图6-(a))、模板(图6-(b))的形状示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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