[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

壳体；

至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；

第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；

第二磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，

其中，白光是通过从所述至少一个发光二极管芯片、第一磷光体和第二磷光体发射的光的合成来形成的，

第二磷光体是化学式为A₂MF₆:Mn⁴⁺的磷光体，A是Li、Na、K、Rb、Ce和NH₄中的一种，M是Si、Ti、Nb和Ta中的一种，

第二磷光体的Mn⁴⁺具有M的摩尔数的0.02倍至0.035倍的摩尔数的范围，

白光具有等于或大于85％的国家电视制式委员会色饱和度。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，在所述摩尔数的范围内，白光的x色坐标和y色坐标形成存在于CIE色度图上的区域中的点，

x色坐标为0.25至0.32且y色坐标为0.22至0.32。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，在所述摩尔数的范围内，白光的光通量的变化率为5％或更小。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，绿光的峰值波长的大小为红光的20％至35％。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，第一磷光体为BAM基磷光体和量子点磷光体中的至少一种。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，第一磷光体的绿光的峰值波长在从520nm至570nm的范围，

第二磷光体的红光的峰值波长在从610nm至650nm的范围。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述至少一个发光二极管芯片包括蓝发光二极管芯片和紫外发光二极管芯片中的至少一种。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，从第二磷光体发射的红光具有等于或少于15nm的半峰全宽。

9.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

壳体；

至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；

第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；

第二磷光体和第三磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，

其中，第二磷光体是化学式为A₂MF₆:Mn⁴⁺的磷光体，A是Li、Na、K、Ba、Rb、Cs、Mg、Ca、Se和Zn中的一种，M是Ti、Si、Zr、Sn和Ge中的一种，

第三磷光体是氮化物基磷光体，且第二磷光体的红光和第三磷光体的红光具有不同的峰值波长，

第三磷光体具有相对于第二磷光体的0.1wt％至10wt％的质量范围，

白光是通过从所述至少一个发光二极管芯片、第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体发射的光的合成来形成的，

白光具有等于或大于85％的国家电视制式委员会色饱和度。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装件，其中，第一磷光体的绿光的峰值波长在从500nm至570nm的范围，

第二磷光体的红光的峰值波长在从610nm至650nm的范围，

第三磷光体的红光的峰值波长在从600nm至670nm的范围。

11.如权利要求9所述的发光二极管封装件，其中，第三磷光体包括由化学式MSiN₂、MSiON₂和M₂Si₅N₈表示的磷光体中的至少一种，M是Ca、Sr、Ba、Zn、Mg和Eu中的一种。