[发明专利]一种提高金线莲幼苗成活率的种植方法在审

专利信息
申请号: 201510500815.0 申请日: 2015-08-17
公开(公告)号: CN105075605A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 陈欣怡 申请(专利权)人: 厦门锦泰谷农业科技有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G1/06;A01H4/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361000 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 金线莲 幼苗 成活率 种植 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及金线莲种植的技术领域,尤其涉及一种提高金线莲幼苗成活率的种植方法。

背景技术

金线莲为兰科开唇植物花叶兰属多年生珍稀中草药,在野生环境下繁殖率和成活率低,1990年被列为濒危药用植物,现市场上出售的金线莲大多为人工繁殖培养成熟后晾晒而成的,而金线莲对人工培养的生长环境要求也是十分苛刻的,现有的金线莲培养技术是将金线莲的培养器皿放在培养室的培养架上,在常规的培养方式,金线莲成长周期长且成活率低。

申请公布号为CN103960030A的发明专利公开了一种仿野生种植金线莲的方法,包括如下步骤:步骤1:金线莲组培苗在预种植地进行炼苗,所述预种植地为原始生态阔叶林下地表腐殖质层;步骤2:从组培瓶中取出炼好的金线莲组培苗,流水冲洗去培养基;步骤3:将步骤2洗好的组培苗用多菌灵溶液浸泡10分钟;步骤4:金线莲种植前进行金线莲种植地土壤消毒,将步骤3的金线莲理顺根系埋入经过消毒的土壤中,并施用定根水;步骤5、进行金线莲的栽培管理直至采收。

申请公布号为CN102696465A的发明专利公开了种植金线莲的一种方法,其特征在于采用泥碳土、腐殖土、炭化稻壳、河沙按1:1比例混合调制为种植基质,并经过下列步骤:A.基质土壤在太阳下曝晒4~6个小时,用800倍托布津溶液,或者600~1000倍多菌灵溶液喷洒,平铺于种植苗床上,控制厚度15-20cm;B.选择株高为2cm、根枝2条以上的健壮金线莲苗,按5×10~15cm的株行距种植于上述基质中;C.种植后酌情浇水、喷施营养液、施复合肥或施农家肥,喷洒杀菌剂或杀虫剂,5~7个月即可采收。

现有技术的金线莲的种植方法,一般都是通过金线莲植株利用自身根系从培养基质或土壤中吸收养分,由于金线莲自身的生长特点,往往生长周期长且成活率低。

有鉴于此,本发明人研究和设计了一种提高金线莲幼苗成活率的种植方法,本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高金线莲幼苗成活率的种植方法,通过砧木的选择、金线莲幼苗的选择、嫁接及嫁接苗的田间管理的步骤,以缩短金线莲种植的生长周期且提高其成活率。

为了实现上述目的,本发明解决其技术问题所采取的技术方案是:

一种提高金线莲幼苗成活率的种植方法,包括以下步骤:

步骤一:砧木的选择:以南瓜籽进行育苗,培育10-15天,待南瓜苗高度在8-12cm时,即可作为砧木;

步骤二:金线莲幼苗的选择:采用自然生长的金线莲植株作为外植体,经过组织培养后,选取金线莲幼苗高度在5-8cm;

步骤三:嫁接:首先用竹签挖掉南瓜苗的生长点,再用刀片或者剪刀在南瓜幼苗上部距离子叶0.8-1.2cm处向下斜切一个45度的切口,口深为茎粗的三分之二左右,随后用刀片将金线莲幼苗叶子1.5-2.5cm处向上斜切一个45度的切口,深度为茎粗的三分之二左右,两瓜苗切好后,随即把2-3株金线莲幼苗向南瓜苗的切面对齐,对正嵌合插好,然后用嫁接夹再靠近固定好;

步骤四:嫁接苗的田间管理:放置到大棚种植,进行田间管理。

作为实施例的优选方式,所述步骤二中,在所述组织培养前,还包括以下步骤:

清洗:选择自然生长、无病虫害的健壮植株,用加入少许肥皂粉的水清洗植株,后用流水冲洗2-3小时;

消毒:在无菌条件下,去除叶片,将植株茎段在75%的酒精中浸润8-10秒后,放入10%的氯化汞溶液中消毒10-15分钟,用无菌水清洗3-6遍,沥干水分,放入无菌的培养皿中备用;接种:将消毒后备用的茎在无菌条件下切成长8-12cm、含一个茎节的若干茎段,接于培养基上,每瓶接1个茎段;

作为实施例的优选方式,所述步骤二中,组织培养的培养条件为:温度25±2℃,采用波长在520-680的可见光谱作为光源,并采用循环交替的方式进行照射,即照射6小时后,停止光照6小时,再照射6小时,如此循环交替照射,光照强度1200-3000流明,培养时间2-3个月左右,培养期间要勤检查,发现污染的要及时去除。

作为实施例的优选方式,所述步骤四中,大棚种植的条件为:

1)温度的控制:所述嫁接苗在15-30℃内可以正常生长,当温度超过28℃以上,通过喷雾装置降温;冬天放下塑料薄膜、保温至6℃以上;

2)湿度的控制:所述嫁接苗生长空气湿度为55-80%;

3)光度的控制:所述嫁接苗光度为1200-1800流明。

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