[发明专利]光学临近修正中的卷积加速方法

说明书

本发明提供了一种光学临近修正中的卷积加速方法，包括：模型采样步骤：对模型进行采样，在采样到的格点处计算卷积，而且保持卷积值；版图扫描步骤：执行版图扫描，并建立顶点坐标索引；仿真点信息获取步骤：利用顶点坐标索引获取仿真点信息；插值计算步骤：利用仿真点信息获取步骤获取的仿真点信息以及模型采样步骤保持的卷积值，执行仿真点卷积值的插值计算。

技术领域

本发明涉及OPC(Optical Proximity Correction，光学临近修正)领域，更具体地说，本发明涉及一种光学临近修正中的卷积加速方法。

背景技术

在光刻工艺中，晶圆上的最终图形由光照的强度分布和光刻胶的化学反应决定。其中光学系统中的干涉衍射现象是成像失真的主要原因，也是OPC模型仿真中的重点。

整个光学系统可以使用麦克斯韦方程描述电磁场在空间中分布。如果忽略掩膜(Mask)的三维结构，简化成二维平面，我可以得到Hopkins积分方程，最终得到光强分布的卷积公式。

光强分布I为Mask函数M(x,y)和多个卷积核K()的卷积平方和。OPC建模就是卷积核的构造过程，而OPC仿真的速度就取决于卷积的计算速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够使得计算速度加速的光学临近修正中的卷积加速方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种光学临近修正中的卷积加速方法，包括：

模型采样步骤：对模型进行采样，在采样到的格点处计算卷积，而且保持卷积值；

版图扫描步骤：执行版图扫描，并建立顶点坐标索引；

仿真点信息获取步骤：利用顶点坐标索引获取仿真点信息；

插值计算步骤：利用仿真点信息获取步骤获取的仿真点信息以及模型采样步骤保持的卷积值，执行仿真点卷积值的插值计算。

优选地，在模型采样步骤中，对于每个卷积核都执行采样。

优选地，在模型采样步骤中，模型采样步骤中的采样的最大半径为光学衍射影响范围。

优选地，在模型采样步骤中采样90度、45度、135度三个平面以便于版图分解。

优选地，在模型采样步骤中，根据版图精度确定采样间距。

优选地，在版图扫描步骤中，首先将顶点分类为属于90度、45度或135度的顶点、以及非90度、45度或135度的顶点，并且对非90度、45度或135度的顶点做锯齿化近似。

优选地，仿真点信息获取步骤包括：根据工艺模型中的光学影响距离从顶点坐标索引中获得仿真点的所有临近顶点；在顶点坐标索引中加入由于边界分割引入的新的顶点；对所有顶点做矩阵变换，换算与仿真点的相对距离。

优选地，插值计算步骤包括：转换相对坐标以获取与仿真点相对应的对照点；利用对照点最相邻的预定个数的采样格点做对照点插值；计算所用顶点采样值的代数和。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明的分解原理的示意图。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的光学临近修正中的卷积加速方法的流程图。