[发明专利]栅极硬掩模层的去除方法有效

申请号：	201510489041.6	申请日：	2015-08-11
公开（公告）号：	CN105161414B	公开（公告）日：	2018-11-09
发明（设计）人：	桑宁波;李润领;丁弋	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L21/308	分类号：	H01L21/308;H01L21/8238
代理公司：	上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275	代理人：	吴世华;陈慧弘
地址：	201210 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	栅极硬掩模层去除方法
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【权利要求书】：

1.一种栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S01，提供一硅片，所述硅片具有NMOS区域以及PMOS区域，所述NMOS区域具有第一栅极以及第一栅极顶部的第一硬掩模层，所述NMOS区域还覆盖有第二硬掩模层，所述第二硬掩模层还覆盖于所述第一栅极的两侧和第一硬掩模层之上，所述PMOS区域具有第二栅极以及第二栅极顶部的第三硬掩模层、两侧的第四硬掩模层侧墙和第四硬掩模层侧墙两侧的锗硅填充区域，其中，所述第一硬掩模层与第二硬掩模层采用不同的材质；

步骤S02，在所述硅片表面沉积一层保护层；

步骤S03，去除所述第一栅极顶部的第二硬掩模层，露出所述第一栅极顶部的第一硬掩模层和第二栅极顶部的第三硬掩模层；

步骤S04，去除露出的所述第一栅极顶部的第一硬掩模层和第二栅极顶部的第三硬掩模层；

步骤S05，去除所述保护层；

步骤S06，去除所述NMOS区域表面以及第一栅极两侧的第二硬掩模层、第二栅极两侧的第四硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S02中所述保护层为有机绝缘层或二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S02包括采用SOC工艺沉积保护层。

4.根据权利要求2所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：若所述保护层为有机绝缘层，则步骤S05采用氧气灰化工艺；若所述保护层为二氧化硅，则步骤S05采用DHF湿法刻蚀去除所述保护层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S03包括采用化学机械研磨去除所述第一栅极顶部的第二硬掩模层。

6.根据权利要求1至4任一项所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S04包括采用热磷酸刻蚀去除所述第一硬掩模层和第三硬掩模层。

7.根据权利要求1至4任一项所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S06包括采用热磷酸刻蚀去除所述第二硬掩模层和第四硬掩模层。

8.根据权利要求1至4任一项所述的栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于：步骤S01中所述第一硬掩模层和第三硬掩模层为多晶硅，所述第二硬掩模层和第四硬掩模层为氮化硅。