[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和形成于衬底基板上的至少一个紫外检测结构，所述紫外检测结构位于所述阵列基板的非显示区域，所述紫外检测结构包括：感光图形和形成于所述感光图形上的第一电极图形和第二电极图形；

所述阵列基板还包括：设置于所述衬底基板上的若干个驱动晶体管，所述驱动晶体管位于所述阵列基板的显示区域，所述驱动晶体管用于驱动对应的像素单元进行显示；

所述感光图形与所述驱动晶体管中的有源层图形同层设置，和/或所述第一电极图形和所述第二电极图形与所述驱动晶体管中的源极图形和漏极图形同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：遮光图形，所述遮光图形与所述驱动晶体管中栅极图形同层设置，所述感光图形在衬底基板上的正投影完全落入所述遮光图形在衬底基板上的正投影所对应的区域内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层图形和所述感光图形的材料均为宽禁带半导体材料。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述宽禁带半导体材料为氧化锌或氧化铟镓锌。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动晶体管和所述紫外检测结构的上方形成有钝化层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极图形和所述第二电极图形的形状均为叉指形，且第一电极图形的指与第二电极图形的指交替设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极图形的指的宽度为3μm～20μm；

所述第一电极图形的指的长度为10μm～100μm；

所述第二电极图形的指的宽度为3μm～20μm；

所述第二电极图形的指的长度为10μm～100μm；

所述第一电极图形的指与相邻的所述第二电极图形的指之间的距离为3μm～20μm。

8.根据权利要求1-7中任一所述的阵列基板，其特征在于，所述紫外检测结构的数量为多个，多个紫外检测结构构成紫外检测阵列，全部所述紫外检测结构的所述第一电极图形电连接，全部所述紫外检测结构的所述第二电极图形电连接。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成至少一个紫外检测结构，所述紫外检测结构包括：感光图形和形成于所述感光图形上的第一电极图形和第二电极图形，所述紫外检测结构位于所述阵列基板的非显示区域；

所述形成至少一个紫外检测结构的步骤之前还包括：

在衬底基板的上方形成栅极图形；

在所述栅极图形的上方形成栅极绝缘层；

所述形成至少一个紫外检测结构的步骤具体包括：

利用一次构图工艺在所述栅极绝缘层的上方形成有源层图形和所述感光图形；

利用一次构图工艺在所述有源层图形的上方形成源极图形和漏极图形，以及在所述感光图形的上方形成所述第一电极图形和所述第二电极图形，其中，所述栅极图形、有源层图形、源极图形和漏极图形构成驱动晶体管，所述驱动晶体管用于驱动对应的像素单元进行显示，所述驱动晶体管位于所述阵列基板的显示区域。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：

在衬底基板的上方对应所述感光图形的位置形成遮光图形，所述感光图形在衬底基板上的正投影完全落入所述遮光图形在衬底基板上的正投影所对应的区域内；

所述形成遮光图形的步骤与所述形成栅极图形的步骤是在同一次构图工艺中进行的。

11.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层图形和所述感光图形的材料均为宽禁带半导体材料。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述宽禁带半导体材料为氧化锌或氧化铟镓锌。