[发明专利]一种具有低功耗特性的欠压锁定电路

说明书

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有低功耗特性的欠压锁定电路。

背景技术

高压集成电路(HVIC)是高压逆变器必不可少的的一部分，比如电机驱动器，电灯镇流器等，在高压应用中，集成电路的功率消耗一直是一个关键的问题。电源通过升压转换器来为高压集成电路供电，在中低频应用中，长时间工作会使自举电容两端的电压差小与15v，因此在电路的高端设计了欠压封锁模块，实时检测高端电源VB和高端浮置地VS之间的电压差，一旦低于设计的阈值电压，则电路发出信号，锁定电路，使高端停止工作。因为传统高侧片的UVLO电路在工作电压下和欠压锁定状态下都处于工作状态因此会有大量的功耗，所以为了降低电池的电量损耗应该最大限度限度的降低高侧片UVLO(under voltage lock out，欠压锁定)电路的功耗。

传统的HVIC电路如图1所示，传统HVIC电路包括由PMOS管P1、P2、P3、P4，NMOS管N1、N2、N3、N4，电阻R1、R2组成的电流镜电路。电阻R3、R4、R5组成的电阻串。NMOS管N5、N6、N7、N8，PMOS管P6、P7、P8、P9、P10以及齐纳二极管Z1组成的比较器电路，NMOS管N9组成的反馈回路。

传统欠压锁定电路中电流产生电路提供镜像电流，为比较器等单元提供偏置，电阻串R2、R3、R4检测电源电压V-输入到比较器的负端，齐纳二极管提供参考电压VREF接到比较器正端。两路电压进行比较。如图2所示，具体工作过程为：

当电源电压正常时，V-比VREF高，比较器输出低电平，UVLO为低，NMOS管N9关断。当电源电压开始下降时V-由公式决定，V_BS为电路中VB端和VS端之间的电压；达到欠压值后V_UVLO-后，V-比VREF低，比较器输出高电平，UVLO为高，NMOS管N9管开启，将R5两端电位拉低，V-进一步降低，反馈到比较器后，锁定电路状态，保持输出不变。

当电压慢慢恢复时，V-由公式决定，达到恢复值V_UVLO+后，V-比VREF高，比较器输出电压翻转，UVLO为低，NMOS管N9管关断，反馈环路切断。传统高侧欠压锁定电路在整个电压VBS变化过程中，电阻串结构一直处于导通状态，所以其会消耗大量功耗，所以增大了高侧片UVLO电路的功耗导致大的电池的电量损耗。

发明内容

本发明所要解决的，就是针对现有的欠压锁定电路存在功耗较大存在的缺陷，提出一种具有低功耗特性的欠压锁定电路。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：