[发明专利]一种具有低功耗特性的欠压锁定电路

权利要求书

1.一种具有低功耗特性的欠压锁定电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和齐纳二极管Z1；其中，第一PMOS管P1的源极接电源，其栅极与漏极互连，其栅极接第二PMOS管P2的栅极，其漏极接第三PMOS管P3的源极；第二PMOS管P2的源极接电源，其漏极接第四PMOS管P4的源极；第三PMOS管P3的栅极与漏极互连，其栅极接第四PMOS管P4的栅极，其漏极接第三NMOS管N3的漏极和第一NMOS管N1的漏极，第三NMOS管N3的源极通过第二电阻R2后接地；第四PMOS管P4的漏极接第四NMOS管N4的漏极；第四NMOS管N4的栅极和漏极互连，其栅极接第二NMOS管N2的栅极，其源极接地；第二NMOS管N2的漏极接第一NMOS管N1的栅极，其漏极通过第一电阻R1后接电源，其源极接地；第一NMOS管N1的源极接地；第二NMOS管N2漏极与第一电阻R1的连接点接第五PMOS管P5的栅极；第五PMOS管的源极接电源，其漏极通过第三电阻R3后接第五NMOS管N5的栅极；第三电阻R3与第五NMOS管N5栅极的连接点通过第四电阻R4后接第九NMOS管N9的漏极；第四电阻R4与第九NMOS管N9的连接点通过第五电阻R5后接地；第九NMOS管N9的源极接地；第五NMOS管N5的漏极接第六PMOS管P6的漏极，其源极接第七NMOS管N7的漏极和第六NMOS管N6的源极；第六PMOS管P6的源极接电源，其栅极和漏极互连，其栅极接第七PMOS管P7的栅极；第七PMOS管P7的源极接电源，其漏极接第六NMOS管N6的漏极；第七NMOS管N7的栅极接第四NMOS管N4的栅极，其源极接地；第六NMOS管N6的栅极接第八PMOS管P8的漏极和齐纳二极管Z1的正极；第八PMOS管P8的栅极接第二PMOS管P2的栅极，其源极接电源；齐纳二极管Z1的负极接地；第七PMOS管P7漏极与第六NMOS管N6漏极的连接点接第九PMOS管P9的栅极和第八NMOS管N8的栅极；第九PMOS管P9的源极接电源，其漏极接第八NMOS管N8的漏极；第八NMOS管N8的源极接地；第十PMOS管P10的源极接电源，其栅极接第七NMOS管N7的栅极；第九PMOS管P9的漏极、第八NMOS管N8的漏极、第九NMOS管N9的栅极和第十PMOS管P10的漏极的连接点为欠压锁定输出端。