[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第三区域的衬底内具有第一类型阱区，所述第二区域的衬底内具有第二类型阱区，所述第一区域、第二区域和第三区域的衬底表面分别具有栅极结构；

在所述第一区域的栅极结构两侧的衬底内分别形成第一应力层；

在所述第一应力层内掺杂第二类型离子；

在所述第二区域的栅极结构两侧的衬底内分别形成第二应力层；

在所述第二应力层内掺杂第一类型离子；

在所述第三区域的栅极结构两侧的衬底内分别形成容变掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述容变掺杂区内具有第一类型离子。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为N型离子；所述第二类型离子为P型离子。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的材料为硅锗；所述第二应力层的材料为碳化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类型阱区内掺杂有N型离子；所述第二类型阱区内掺杂有P型离子。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：基底、位于基底表面的鳍部、以及位于基底表面的隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁表面；所述栅极结构横跨于所述鳍部表面，且所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部顶部的宽度尺寸为13纳米～15纳米，所述栅极结构沿所述鳍部顶部的宽度方向横跨于所述鳍部表面。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的形成步骤包括：在所述衬底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出第一区域的衬底和栅极结构；以所述第一掩膜层为掩膜，采用选择性外延生长工艺在所述第一区域的栅极结构两侧形成第一应力层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的形成步骤包括：在所述衬底和第一掩膜层表面形成第二掩膜材料膜；刻蚀第二区域的第二掩膜材料膜和第一掩膜层，形成第二掩膜层，所述第一掩膜层和第二掩膜层暴露出第二区域的衬底和栅极结构；以所述第二掩膜层为掩膜，采用选择性外延生长工艺在所述第二区域的栅极结构两侧形成第二应力层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二应力层之后，采用第一注入工艺在所述第二区域和第三区域的栅极结构两侧的第二应力层内掺杂第一类型离子，并在第三区域形成容变掺杂区；在形成所述第二应力层之后，采用第二注入工艺在所述第一区域的栅极结构两侧掺杂第二类型离子，在所述第一应力层内掺杂第二类型离子。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的形成步骤包括：在所述衬底表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出第二区域的衬底和栅极结构；以所述第二掩膜层为掩膜，采用选择性外延生长工艺在所述第二区域的栅极结构两侧形成第二应力层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第二应力层之后，采用第一注入工艺在所述第二区域和第三区域的栅极结构两侧的第二应力层内掺杂第一类型离子，并在第三区域形成容变掺杂区。