[发明专利]具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面；数个焊垫，设置在所述底面上；至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上；一半导体器件，设置在所述正面上；一封膜，设置在所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；以及一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接。

技术领域

本发明是涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种具有顺形(conformal)电磁屏蔽(EM shielding)结构的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

目前，电子产品，例如无线通讯产品，在其运作过程中产生的电磁辐射，可能会干扰其他装置的正常运作，甚至影响人体健康。由于现代的电子产品功能越来越强大，操作速度越来越快，电磁屏蔽(EM shielding)功能及质量相对显得重要。

在传统电磁屏蔽结构中，通常以一金属盖体盖于芯片上，以达到抗电磁干扰的效果。然而，公知的电磁屏蔽金属盖体必须针对不同的模块或装置进行设计制造，需耗费较多的工时、人力与成本。此外，过去的电磁屏蔽金属盖体通常是固定在基板的表面上，除了较占基板面积，也无法提供较佳的电磁屏蔽效果。

由此可知，目前本技术领域仍需要一种改良的半导体封装件的电磁屏蔽结构，能够解决上述现有技术的不足与缺点。

发明内容

本发明的主要目的在提供一具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件，其电磁屏蔽结构的工艺简易、不占用基板表面积、电磁屏蔽效果佳，而能够解决上述先前技艺的不足与缺点。

根据本发明一实施例，提供一种半导体封装件，包括一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面；数个焊垫，设置在所述底面上；至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上；一半导体器件，设置在所述正面上；一封膜，设置在所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；以及一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接。

根据本发明另一实施例，提供一种半导体封装件的制造方法，包括：提供一基板，其中具有一正面以及一底面，所述基板上区分有数个器件区域以及围绕各个器件区域的切割区域，其中在所述底面，形成有数个焊垫以及至少一电磁屏蔽连接结构；于所述基板的所述正面上安置一半导体器件；形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件；进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述基板，分离出数个半导体封装件，并使部分所述电磁屏蔽连接结构于所述基板的一侧壁面上暴露出来；以及于所述半导体封装件上顺形的形成一电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述封膜以及所述基板的所述侧壁面，并直接接触所述侧壁面上被暴露出来的部分所述电磁屏蔽连接结构。

根据本发明另一实施例，提供一种半导体封装件的制造方法，包括：提供一基板，其中具有一正面以及一底面，其中所述基板上区分有数个器件区域以及切割区域，在所述切割区域内预先形成有数个孔洞结构，且至少在各所述孔洞结构的侧壁上形成有一导电层，其中所述导电层是与所述基板内的一接地层直接接触并电性连接，且所述孔洞结构在所述基板的所述正面是被一盖层遮盖起来；于所述基板的所述正面上安置一半导体器件；形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件；进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述盖层，使所述孔洞结构内的所述导电层被显露出来，形成数个封膜块体；以及于各所述封膜块体上顺形的形成一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层是填入所述孔洞结构内，并与所述导电层电性连接。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明