[发明专利]具有顺形电磁屏蔽结构的半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

一基板，其中具有一正面、一底面，以及一位于所述基板周边的侧壁面；

数个焊垫，设置在所述基板的所述底面上，所述基板另包括一导电孔、一接地垫以及一接地层，其中所述导电孔电性连接所述接地层与所述接地垫；

至少一电磁屏蔽连接结构，设置在所述基板的所述底面，并且部分所述电磁屏蔽连接结构是被暴露于所述侧壁面上，其中所述电磁屏蔽连接结构通过所述基板内的所述导电孔与所述基板内的所述接地层电性连接；

一半导体器件，设置在所述基板的所述正面上；

一封膜，设置在所述基板的所述正面上，并覆盖住所述半导体器件；

一电磁屏蔽层，顺形的覆盖住所述封膜以及所述侧壁面，并与暴露于所述侧壁面上的所述电磁屏蔽连接结构直接接触并电性连接；

一防焊层，覆盖住所述基板的所述底面以及所述电磁屏蔽连接结的底面，并且与所述电磁屏蔽连接结构在所述基板的所述侧壁面上切齐；以及

数个凸块状焊料或球状焊料，分别设置在所述焊垫上，但不设置在所述电磁屏蔽连接结构上，其中所述数个焊垫自所述基板周边的所述侧壁面内缩并且与所述基板周边的所述侧壁面之间由所述防焊层分隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构设置在所述基板的所述底面的一角落。

3.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一基板，其中具有一正面以及一底面，所述基板上区分有数个器件区域以及围绕各个器件区域的切割区域，其中在所述基板的所述底面，形成有数个焊垫以及至少一电磁屏蔽连接结构，所述基板另包括一导电孔、一接地垫以及一接地层，其中所述导电孔电性连接所述接地层与所述接地垫，其中所述电磁屏蔽连接结构通过所述基板内的所述导电孔与所述基板内的所述接地层电性连接；

在所述基板的所述正面上安置一半导体器件；

形成一封膜，全面覆盖所述基板的所述正面，且所述封膜覆盖住所述半导体器件；

形成一防焊层，覆盖住所述基板的所述底面以及所述电磁屏蔽连接结构的底面并且显露出所述焊垫；

进行一切割工艺，沿着所述切割区域切割所述封膜以及所述基板，分离出数个半导体封装件，并使部分所述电磁屏蔽连接结构于所述基板周边的一侧壁面上暴露出来，其中所述数个焊垫自所述基板周边的所述侧壁面内缩而与所述侧壁面之间相隔一距离，所述基板的所述底面上的所述数个焊垫与所述基板周边的所述侧壁面之间由所述防焊层分隔开；

在所述半导体封装件上顺形的形成一电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述封膜以及所述基板的所述侧壁面，并直接接触所述侧壁面上被暴露出来的部分所述电磁屏蔽连接结构；以及

分别在所述焊垫上形成数个凸块状焊料或球状焊料，其中所述凸块状焊料或球状焊料并不形成在所述电磁屏蔽连接结构上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，进行所述切割工艺之前另包括：贴合一载膜在所述基板的所述底面上。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述切割工艺切割的深度超过所述基板的所述底面，使所述封膜被完全切断，其中所述载膜在所述切割区域具有一切割凹槽。

6.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽连接结构设置在所述基板的所述底面的一角落。

7.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述切割工艺后，所述防焊层和所述电磁屏蔽连接结构在所述基板的所述侧壁面上切齐。

8.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层是利用喷涂、溅射、电镀、或蒸镀工艺形成。