[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。

本公开享有2014年7月28日申请的日本专利申请第2014-153094号以及2015年5月7日申请的日本专利申请第2015-094907号的优先权，在此将该日本申请的全部内容作为参照文献而引入。

技术领域

本发明涉及一种在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下进行成膜的成膜装置。

背景技术

在对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板进行成膜的方法中，存在以下的ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)：向晶圆的表面供给作为成膜原料的气体(原料气体)，使晶圆的表面吸附原料气体的原子层、分子层，之后供给将该原料气体氧化、还原的反应气体来生成反应生成物，重复这些处理来使反应生成物的层沉积。有时使用在纵型的反应容器内容纳有将多个晶圆保持为架状的晶圆舟的状态下供给各气体的成膜装置来进行该ALD。

在制造半导体装置时，存在多种半导体装置各制造少量半导体的情况，在该情况下，将个数比较少的相同批次的晶圆保持在上述晶圆舟的保持区域(槽)中来进行上述ALD。在该晶圆舟中，为了防止由晶圆的个数变化引起形成于晶圆的膜的状态变化，而在未保持晶圆的上述槽中保持虚拟晶圆。

但是，在这样的处理中，存在虚拟晶圆的消耗个数变多的问题。另外，当要利用上述成膜装置进行一次成膜处理时，除了进行成膜处理所需的时间以外，还需要相对于装置搬入搬出晶圆舟的时间、相对于晶圆舟的槽搬入搬出晶圆和虚拟晶圆的时间、在进行成膜处理前将反应容器内抽成真空的时间以及在进行成膜处理前对晶圆加热的时间等。因而，当搭载于晶圆舟的晶圆的个数少时，处理某些个数的晶圆所需的成膜处理的次数增加，除了上述的进行成膜处理所需的时间以外，还需要与该次数相应的时间(开销时间)，因此，结果是，存在导致装置的生产率降低的问题。还考虑等到能够将大量的进行同种成膜处理的晶圆输送到晶圆舟为止进行成膜处理，但是，在该情况下，开始处理的定时推迟，因此难以实现装置的生产率的提高。

例如，已知以包围晶圆舟的方式在反应容器内设置隔板来对该反应容器内进行划分的成膜装置。在该成膜装置中，向划分出的各个区域供给的气体互不相同，并且，按顺序反复向该区域中的每个区域并行地供给原料气体、吹扫气体、反应气体、吹扫气体来进行处理。由此，以定时各错开一个步骤的方式在划分出的各区域中单独地进行ALD，从而能够使每单位时间供给到各区域的气体的量变大。但是，即使这样进行处理，也无法解决上述的装置的生产率的问题、虚拟晶圆的浪费的问题。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供如下一种技术：在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下进行成膜的成膜装置中，能够实现装置的生产率的提高。

用于解决问题的方案

本发明的成膜装置在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：