[发明专利]制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201510438319.7 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN105321879B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 松田信太郎 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
(a)提供衬底,所述衬底具有第一主表面、以及在与所述第一主表面相对之侧的第二主表面;并且在所述衬底的所述第一主表面之上形成多个半导体元件,以形成半导体晶片;
(b)提供环形环,所述环已经附着有粘合胶带;
(c)将所述半导体晶片附着到所述粘合胶带上,使得所述半导体晶片的所述第二主表面面向所述粘合胶带的位于所述环之中的粘附表面;
(d)将所述半导体晶片划片为多个半导体芯片,以形成已切晶片,在所述已切晶片中所述多个半导体芯片在附着至所述粘合胶带的状态下由所述环保持;
(e)在所述步骤(d)之后,将所述已切晶片容纳在装运盒中并且由此将所述环固定,所述装运盒具有:第一盒部,覆盖所述已切晶片的第一表面,所述第一表面已经附着有所述半导体芯片;以及第二盒部,覆盖所述已切晶片的在与所述第一表面相对之侧的第二表面;
(f)在所述步骤(e)之后,将所述装运盒容纳在装运袋中;以及
(g)在所述步骤(f)之后,从所述装运袋抽气,以减少在所述装运盒中的压力,
其中所述第一盒部在所述步骤(e)中具有:第一凹部,覆盖所述半导体芯片;以及第一通气路径,与所述第一凹部连通,并且耦合至所述装运盒的外部空间;
其中所述第二盒部在所述步骤(e)中具有:第二凹部,覆盖所述已切晶片的所述第二表面;并且
其中在所述步骤(g)中,经由所述第一通气路径,从所述装运盒排气。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中所述第一盒部在所述第一凹部外部具有:环保持部,用于按压所述已切晶片的所述环的所述第一表面,以固定所述环;并且
其中在平面图中,所述第一通气路径将在所述环内部的空间与在所述环外部的空间连通。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中所述第一盒部设置为围绕所述第一凹部的外围,并且具有:环保持部,用于按压所述已切晶片的所述环的所述第一表面,以固定所述环;并且
其中在平面图中,所述第一通气路径将在所述第一凹部中的空间与在所述环保持部外部的空间连通,使得穿透所述环保持部的部分。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中所述第二盒部具有:第二通气路径,与所述第二凹部连通,并且耦合至所述装运盒的外部空间;并且
其中在所述步骤(g)中,经由所述第二通气路径,从所述第二凹部排气。
5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法,
其中所述第一通气路径和所述第二通气路径彼此耦合。
6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法,
其中所述第二通气路径包括:形成在所述已切晶片的所述环的外边缘部与所述第二凹部的壁表面之间的间隙。
7.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法,
其中在所述步骤(e)中由所述第一凹部和所述已切晶片的所述第一表面形成的第一空间的体积大于在所述步骤(e)中由所述第二凹部和所述已切晶片的所述第二表面形成的所述第二凹部的体积。
8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法,
其中所述半导体芯片中的每一个都具有形成在所述第一主表面之侧的图像传感器元件。
9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法,
其中在所述步骤(d)之后但是在所述步骤(e)之前,将保护胶带附着到所述已切晶片上,使得覆盖所述半导体芯片。
10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,进一步包括以下步骤:
(h)在所述步骤(g)之后,打开所述装运袋,从而使得在所述装运盒中的压力增加;以及
(i)在所述步骤(h)之后,从所述装运盒取出所述已切晶片。
11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中将所述装运盒的所述外部空间耦合至在所述第一凹部中的第一空间的所述第一通气路径在其中具有空间,所述第一通气路径在所述空间处具有部分地放大的截面面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造