[发明专利]纳米T型栅的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件及集成电路制作工艺技术领域，尤其涉及一种纳米T型栅的制作方法。

背景技术

磷化铟基、砷化镓基和氮化镓基等化合物半导体材料在超高速微电子领域应用广泛，其中高电子迁移率晶体管（HEMT）发展迅速。国际上采用30nm栅制作技术研制出最大振荡频率大于1.2THz的磷化铟基HEMT，是工作速度最快的三端器件，也是下一代通信系统收发模块的理想器件。

HEMT器件的工作频率与栅长和栅电阻密切相关，降低栅长和减小栅电阻，可以提高器件的工作频率。但是栅长与栅电阻是一对矛盾，随着栅长的减小，栅电阻也会增加，反而降低器件的工作频率，因此国际上一般采用T型栅来降低栅电阻。传统的纳米T型栅工艺可以降低栅长，但是为抑制自掩蔽效应，制作的栅根高度较低，从而增加了器件的寄生电容；另一种工艺是采用介质辅助方法制作T栅，该方法增加了工艺复杂性，提高了器件制作成本。这两种方法都会引入较大的栅寄生电容，对器件的频率也会产生较大影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种纳米T型栅的制作方法，所述方法工艺简单，易行，提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率，降低了生产成本。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种纳米T型栅的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

1）在衬底的上表面涂覆第一电子束光刻胶，然后烘干，形成第一电子束光刻胶层；

2）在第一电子束光刻胶层的上表面涂覆第二电子束光刻胶，然后烘干，形成第二电子束光刻胶层；

3）在第二电子束光刻胶层的上表面涂覆第三电子束光刻胶，然后烘干，形成第三电子束光刻胶层；

4）对第三电子束光刻胶层和第二电子束光刻胶层进行光刻处理，在第三电子束光刻胶层上形成T型栅的栅帽图形；

5）对第一电子束光刻胶层进行光刻处理，在第一电子束光刻胶层上形成T型栅的栅根图形；

6）在步骤5）处理后的器件的上表面沉积栅电极金属；

7）剥离第一电子束光刻胶层、第二电子束光刻胶层、第三电子束光刻胶层以及第三电子束光刻胶层上表面沉积的栅电极金属，在衬底的上表形成T型栅。

进一步的技术方案在于：所述第一电子束光刻胶层的制作材料为PMMA，厚度为150nm-250nm，烘干时间为2分钟-4分钟。

进一步的技术方案在于：所述第二电子束光刻胶层的制作材料为PMGI，厚度为400 nm-600nm，烘干时间为2分钟-4分钟。

进一步的技术方案在于：所述第三电子束光刻胶层的制作材料为PMMA，厚度为250nm-350nm，烘干时间为2分钟-4分钟。

进一步的技术方案在于：所述方法通过电子束光刻机对电子束光刻胶层进行光刻处理。

进一步的技术方案在于：所述沉积的栅电极金属为Ti、Pt或Au。

进一步的技术方案在于：所述方法在步骤1）前还包括衬底的清洗和烘干步骤。

进一步的技术方案在于：所述方法在步骤7）后还包括清洗和烘干步骤。

进一步的技术方案在于：步骤6）中，采用蒸发或溅射的方法在步骤5）处理后的器件的上表面沉积栅电极金属。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述方法只需要一次性涂覆多层光刻胶即可得到较小的栅根，工艺简单，易行，仅通过合理设置光刻图形的剂量即可制作出T型栅，提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率，降低了生产成本。

附图说明

图1是本发明衬底的结构示意图；

图2是本发明衬底涂敷三层光刻胶后的结构示意图；

图3是本发明对图2进行电子束直写栅帽并显影后的结构示意图；

图4是本发明对图3进行电子束直写栅根并显影后的结构示意图；

图5是本发明对图4进行电子束蒸发金属的结构示意图；

图6是本发明对图5进行金属和光刻胶剥离后的T型栅结构示意图；

图7是T型栅的结构示意图；

其中：1、衬底 2、第一电子束光刻胶层 3、第二电子束光刻胶层 4、第三电子束光刻胶层 5、栅电极金属 6、T型栅 61、栅帽 62、栅根。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。