[发明专利]纳米T型栅的制作方法有效
| 申请号： | 201510433165.2 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105118774B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张立森;邢东;王俊龙;梁士雄;杨大宝;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 苏英杰 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 制作方法 | ||
1.一种纳米T型栅的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：
1)在衬底(1)的上表面涂覆第一电子束光刻胶，然后烘干，形成第一电子束光刻胶层(2)；
2)在第一电子束光刻胶层(2)的上表面涂覆第二电子束光刻胶，然后烘干，形成第二电子束光刻胶层(3)；
3)在第二电子束光刻胶层(3)的上表面涂覆第三电子束光刻胶，然后烘干，形成第三电子束光刻胶层(4)；
4)对第三电子束光刻胶层(4)和第二电子束光刻胶层(3)进行光刻处理，在第三电子束光刻胶层上形成T型栅(6)的栅帽图形；
5)对第一电子束光刻胶层进行光刻处理，在第一电子束光刻胶层(2)上形成T型栅(6)的栅根图形；
6)在步骤5)处理后的器件的上表面沉积栅电极金属(5)；
7)剥离第一电子束光刻胶层(2)、第二电子束光刻胶层(3)、第三电子束光刻胶层(4)以及第三电子束光刻胶层(4)上表面沉积的栅电极金属(5)，在衬底(1)的上表形成T型栅(6)；
所述第一电子束光刻胶层(2)的制作材料为PMMA，厚度为150nm-200nm，热板烘干时间为2分钟-4分钟；
所述第二电子束光刻胶层(3)的制作材料为PMGI，厚度为500nm-600nm，热板烘干时间为2分钟-4分钟；
所述第三电子束光刻胶层(4)的制作材料为PMMA，厚度为300nm-350nm，热板烘干时间为2分钟-4分钟。
2.根据权利要求1所述的纳米T型栅的制作方法，其特征在于：所述方法通过电子束光刻机对电子束光刻胶层进行光刻处理。
3.根据权利要求1所述的纳米T型栅的制作方法，其特征在于：所述沉积的栅电极金属(5)为Ti、Pt或Au。
4.根据权利要求1所述的纳米T型栅的制作方法，其特征在于：所述方法在步骤1)前还包括衬底(1)的清洗和烘干步骤。
5.根据权利要求1所述的纳米T型栅的制作方法，其特征在于：所述方法在步骤7)后还包括清洗和烘干步骤。
6.根据权利要求1所述的纳米T型栅的制作方法，其特征在于：步骤6)中，采用蒸发或溅射的方法在步骤5)处理后的器件的上表面沉积栅电极金属(5)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
