[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，属于无黑矩阵显示技术领域，其可解决现有的显示面板中的导电反光结构会影响显示效果和外部能见度的问题。本发明的阵列基板其包括：导电反光结构；设于导电反光结构上方的透明金属氧化物层，所述透明金属氧化物层上形成有金属微粒，所述金属微粒由透明金属氧化物层中的金属聚集而成。

技术领域

本发明属于无黑矩阵显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

为了简化结构、提高开口率等，人们提出了无黑矩阵(BMless)技术，即对于阵列基板中的引线等导电反光结构，依靠其本身阻挡来自背光源的光，而在对应位置处不设置用于挡光的黑矩阵。例如，在显示面板中，可在数据线处不设置黑矩阵，由于数据线一般与源漏极同层，故其也称为SD BMless结构。

如图1所示，在显示面板中，虽然导电反光结构1(如数据线)处无光线直接射出，但由于这些结构由反光的金属构成，且上表面为光滑的反光面，故由外界射入显示面板的环境光会在导电反光结构1上表面发生镜面反射，由此导致这些结构(如数据线)在外界看很明显，会影响显示效果并降低外部能见度。

发明内容

本发明针对现有显示面板中的导电反光结构会影响显示效果和外部能见度的问题，提供一种显示效果好且外部能见度高的阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括：

导电反光结构；

设于导电反光结构上方的透明金属氧化物层，所述透明金属氧化物层上形成有金属微粒，所述金属微粒由透明金属氧化物层中的金属聚集而成。

优选的是，所述透明金属氧化物层为氧化铟锡层；所述金属微粒为铟微粒。

优选的是，所述导电反光结构包括栅线、数据线、公共电极线中的一种或多种。

优选的是，所述阵列基板还包括透明电极；所述透明金属氧化物层与透明电极同层设置。

进一步优选的是，所述透明电极为像素电极或公共电极。

优选的是，所述透明金属氧化物层与导电反光结构相接触。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板的制备方法，其包括：

形成导电反光结构的步骤；

形成透明金属氧化物层的步骤，使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤。

优选的是，所述使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤包括：用硅烷作为工作气体，对透明金属氧化物层进行等离子体处理。

优选的是，所述等离子体处理的工作参数包括：硅烷流量200～800sccm；气体压力1400～2000mtorr；等离子体功率1000～1600W。

优选的是，所述阵列基板中包括上述透明电极；所述形成透明金属氧化物层的步骤，使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤包括：依次形成透明金属氧化物材料层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，在对应透明电极的第一区域保留第一厚度的光刻胶层，在对应导电反光结构的第二区域保留比第一厚度薄的光刻胶层，其余区域不保留光刻胶层；除去暴露的透明金属氧化物材料层，形成透明电极和透明金属氧化物层；除去第二区域的光刻胶层，同时第一区域的光刻胶层减薄但仍保留一部分；使暴露的透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒；除去第一区域中剩余的光刻胶层。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括对盒的上述阵列基板和对盒基板，且

所述显示面板在对应所述导电反光结构处无黑矩阵。