[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

导电反光结构；

设于导电反光结构上方的透明金属氧化物层，所述透明金属氧化物层上形成有金属微粒，所述金属微粒由透明金属氧化物层中的金属聚集而成；

所述导电反光结构包括栅线、数据线、公共电极线中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述透明金属氧化物层为氧化铟锡层；

所述金属微粒为铟微粒。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括透明电极；

所述透明金属氧化物层与透明电极同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述透明电极为像素电极或公共电极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述透明金属氧化物层与导电反光结构相接触。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至5中任意一项的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：

形成导电反光结构的步骤，所述导电反光结构包括栅线、数据线、公共电极线中的一种或多种；

形成透明金属氧化物层的步骤，使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤包括：

用硅烷作为工作气体，对透明金属氧化物层进行等离子体处理。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述等离子体处理的工作参数包括：

硅烷流量200～800sccm；

气体压力1400～2000mtorr；

等离子体功率1000～1600W。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为所述权利要求3的阵列基板；所述形成透明金属氧化物层的步骤，使透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒的步骤包括：

依次形成透明金属氧化物材料层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，在对应透明电极的第一区域保留第一厚度的光刻胶层，在对应导电反光结构的第二区域保留比第一厚度薄的光刻胶层，其余区域不保留光刻胶层；

除去暴露的透明金属氧化物材料层，形成透明电极和透明金属氧化物层；

除去第二区域的光刻胶层，同时第一区域的光刻胶层减薄但仍保留一部分；

使暴露的透明金属氧化物层中的金属聚集形成金属微粒；

除去第一区域中剩余的光刻胶层。

10.一种显示面板，包括对盒的阵列基板和对盒基板，其特征在于，

所述阵列基板为权利要求1至5中任意一项的阵列基板；

所述显示面板在对应所述导电反光结构处无黑矩阵。

11.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，

所述显示面板为权利要求10中的显示面板。