[发明专利]一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法

权利要求书

1.一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其制备步骤步骤如下：

A)将纳米硅与过渡金属化合物水溶液混合，进行加热至水分蒸发，得到负载有过渡金属化合物的纳米硅；

B)用还原剂将所述步骤A)得到的负载有过渡金属化合物的纳米硅进行还原，得到负载有过渡金属的纳米硅；

C)用无定形碳碳源将所述步骤B)得到的负载有过渡金属的纳米硅进行沉积，得到沉积有无定形碳的纳米硅；

D)利用酸性介质溶液将所述步骤C)中得到的沉积有无定形碳的纳米硅上的过渡金属去除，并进行洗涤至中性，然后烘干，得到改性纳米硅负极材料。

2.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤A）中纳米硅与过渡金属化合物的质量比为100：（30～50）。

3.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤A)中过渡金属化合物包括镍的氯化物、铁的氯化物和钴的氯化物中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤A)中加热温度为30～85℃。

5.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤A)中还原剂为氢气。

6.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤C)中无定形碳碳源包括气体碳氢化合物。

7.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤C)中沉积的温度为600～800℃，沉积的时间为2～5小时，无定形碳的沉积量占纳米硅重量的30～50％。

8.根据权利要求1所述的一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法，其特征在于步骤D)中酸性介质溶液为盐酸溶液，摩尔浓度为0.01～0.5mol/L。