[发明专利]钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201510402170.7 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105032406A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 白雪;华祖林;吕玲玲;黄欣;张琪;张佳楠 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | B01J23/44 | 分类号： | B01J23/44;B01J35/02;C02F1/30 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210098 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修饰 三维 结构 暴露 001 氧化 制备 方法 及其 应用 | ||
1.钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：包括：
步骤一，三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备：将异丁醇与钛酸丁酯混合均匀后，加入异丁醇和氢氟酸适量，磁力搅拌，再转入高压釜中，在180~200℃下水热反应20h；将高压釜冷却至室温，所得样品用去离子水洗涤，并用NaOH溶液调节pH值中性，干燥得到白色的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品；
步骤二，钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备：先用PdCl2和盐酸溶液配制成1g/LH2PdCl4溶液，将乙醇及步骤一制得的所述三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品置于三口烧瓶中，在紫外光下照射10~30min，然后加入H2PdCl4溶液，继续光照10~30min，同时在反应过程中持续向溶液中通N2，反应后的样品用去离子水洗涤、烘干，制得钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品。
2.根据权利要求1所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述异丁醇、钛酸丁酯和氢氟酸的用量比为40-80mL：0.5-2mL：0.4-0.8mL。
3.根据权利要求1或2所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述异丁醇、钛酸丁酯和氢氟酸的用量比为40mL：1mL：0.4mL。
4.根据权利要求1所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述高压釜的水热反应温度为200℃。
5.根据权利要求1所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品、乙醇和H2PdCl4的用量比为30~100mg：50~200mL：1~3mL。
6.根据权利要求1或5所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品、乙醇和H2PdCl4的用量比为50mg：100mL：2.35mL。
7.根据权利要求1所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的制备方法，其特征在于：所述紫外光的光照功率为30W，光照时间为20min，所述紫外光的波长为365nm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛的应用，其特征在于：钯修饰的三维花状结构暴露[001]晶面的二氧化钛样品在光催化降解废水污染物上的应用；所述废水污染物包括有机染料、环境雌激素和药物。
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