[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻装置，用于对基材的主面实施处理，其特征在于，具有：

腔室；

分隔构件，设置在所述腔室内，用于规定一侧开放的处理空间；

气体供给部，向所述处理空间供给气体；

等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；

高频电力供给部，向所述等离子体生成部供给高频电力；

保持机构，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材；

电极，通过电气绝缘构件支撑在所述腔室内，且配置于所述处理空间；

脉冲电压供给部，向所述电极反复施加包含正电压的脉冲电压，

所述等离子体生成部设置在所述处理空间内，所述电极的至少一部分与所述等离子体生成部相比，配置在离所述主面近的位置，

所述电极具有第一部分，所述第一部分覆盖所述分隔构件的所述一侧的端部。

2.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述电极具有第二部分，所述第二部分沿着所述分隔构件中的所述处理空间侧的壁面延伸。

3.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，

该蚀刻装置具有使所述基材电接地的接地部。

4.如权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述接地部具有：

接地电极，与所述基材的所述主面中的不成为所述处理的对象的非处理区域电接触；

绝缘性的密封部，受到将所述接地电极按压于所述基材的方向的作用力；

接地线，一端与所述接地电极连接，另一端接地。

5.如权利要求1至4中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述脉冲电压的重复周期内的时间平均值为正。

6.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述保持机构是能够保持并搬运所述基材的机构。

7.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述等离子体生成部具有小于一圈的至少一个电感耦合天线。

8.一种蚀刻方法，在处理空间内生成等离子体，并使用所述等离子体对基材的主面实施处理，所述处理空间在腔室内形成，并且一侧开放，其特征在于，

所述蚀刻方法包括：

保持工序，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材，

等离子体生成工序，通过配置在所述处理空间内的等离子体生成部来生成等离子体，

脉冲电压供给工序，对电极反复施加包含正电压的脉冲电压，所述电极通过电气绝缘构件支撑在腔室内，且配置于处理空间；

所述等离子体生成工序与所述脉冲电压供给工序在时间上并行进行，

所述等离子体生成部设置在所述处理空间内，所述电极的至少一部分与所述等离子体生成部相比，配置在离所述主面近的位置，

所述电极具有第一部分，所述第一部分覆盖分隔构件的所述一侧的端部，所述分隔构件将所述腔室的内部分隔以规定所述处理空间。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述保持工序中，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持并搬运所述基材。