[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及生成等离子体并使用该等离子体来对基材的表面进行处理的蚀刻装置及蚀刻方法。

背景技术

已知一种蚀刻装置，该蚀刻装置将处理气体导入腔室内，并且对腔室内的电极施加高频电力来形成高频电场，通过该高频电场生成处理气体的等离子体，以对基材的主面实施处理。

例如，专利文献1中公开一种蚀刻装置，该蚀刻装置具有电感耦合天线，使用通过该电感耦合天线生成的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，以下简称为ICP)，对基材的主面施加处理。

专利文献1：日本特许第3751909号公报

专利文献2：日本特开2010-205967号公报

一般来说，在这种等离子体蚀刻技术中，以提高蚀刻速率为技术课题。例如，在专利文献2中公开有通过调节导入腔室内的处理气体的条件(处理气体的种类、多种处理气体的混合比例等)来提高蚀刻速率的技术。

但是，在如专利文献2那样从提高蚀刻速率的观点考虑来设定处理气体的条件的方式中，在从其他观点考虑变更了处理气体的条件的情况下，出现蚀刻速率降低的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供不依赖于处理气体的条件等而能够提高蚀刻速率的蚀刻装置及蚀刻方法。

本发明的第一方式的蚀刻装置是对基材的主面实施处理的蚀刻装置，其特征在于，具有：腔室；分隔构件，设置在所述腔室内，并用于规定一侧开放的处理空间；气体供给部，向所述处理空间供给气体；等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；高频电力供给部，向所述等离子体生成部供给高频电力；保持机构，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材；电极，通过电气绝缘构件被支撑在所述腔室内，且配置于处理空间；以及脉冲电压供给部，向所述电极反复施加包含正电压的脉冲电压。

本发明的第二方式的蚀刻装置在本发明的第一方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述等离子体生成部设置在所述处理空间内，所述电极的至少一部分与所述等离子体生成部相比，配置在离所述主面近的位置。

本发明的第三方式的蚀刻装置在本发明的第二方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述电极具有第一部分，所述第一部分覆盖所述分隔构件的所述一侧的端部。

本发明的第四方式的蚀刻装置在本发明的第三方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述电极具有第二部分，所述第二部分沿着所述分隔构件的所述处理空间侧的壁面延伸。

本发明的第五方式的蚀刻装置是对基材的主面施加处理的蚀刻装置，其特征在于，具有：腔室；导电性的分隔构件，通过电气绝缘构件支撑在所述腔室内，用于规定一侧开放的处理空间；气体供给部，向所述处理空间供给气体；等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；高频电力供给部，向所述等离子体生成部供给高频电力；保持机构，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材；脉冲电压供给部，向所述分隔构件反复施加包含正电压的脉冲电压。

本发明的第六方式的蚀刻装置在本发明的第一方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，具有使所述基材电接地的接地部。

本发明的第七方式的蚀刻装置在本发明的第六方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述接地部具有：接地电极，与所述基材的所述主面中的不成为所述处理的对象的非处理区域电接触；绝缘性的密封部，受到将所述接地电极按压于所述基材的方向的作用力；接地线，其一端与所述接地电极连接，另一端接地。

本发明的第八方式的蚀刻装置在本发明的第一方式至第七方式中任一项的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述脉冲电压的重复周期内的时间平均值为正。

本发明的第九方式的蚀刻装置在本发明的第一方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述保持机构是能够保持并搬运所述基材的机构。

本发明的第十方式的蚀刻装置在本发明的第一方式的蚀刻装置的基础上，其特征在于，所述等离子体生成部具有小于一圈的至少一个电感耦合天线。

本发明的第十一方式的蚀刻方法，在处理空间内生成等离子体，并使用所述等离子体对基材的主面实施处理，所述处理空间在腔室内形成，并且一侧开放，其特征在于，

所述蚀刻方法包括：

保持工序，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材；

等离子体生成工序，通过配置在所述处理空间内的等离子体生成部来生成等离子体；

脉冲电压供给工序，对电极反复施加包含正电压的脉冲电压，所述电极通过电气绝缘构件支撑在腔室内，且配置于处理空间，